Дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках

• Date: 2018
• Main Author: Tursunov, I. G.
• Format: Article
• Language: English
• Published: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Subjects: деформація; домішки; деформаційний опір; гідростатичний тиск
• Online Access: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018241
• Journal Title: Ukrainian Journal of Physics

We propose to use methods involving a deformation for the determination of deep-level parameters in semiconductors. The methods are based on the measurement of strain parameters of compensated and overcompensated semiconductors. The dynamic changes of the current flow in compensated and overcompensa...