Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi
The influence of an isovalent tin impurity on the electron concentration in Cz n-Si irradiated with 1-MeV electrons has been studied both experimentally and theoretically. It is found that the Sn impurity leads to the acceleration of the conductivity degradation in electron-irradiated nSi. The effec...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018289 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозиторії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018289 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20182892019-03-05T14:19:08Z Influence of Tin Impurity on Degradation of Conductivity in Electron-Irradiated n-Si Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi Kras’ko, M. M. кремнiй електронне опромiнення iзовалентна домiшка олова silicon electron irradiation tin-vacancy complex The influence of an isovalent tin impurity on the electron concentration in Cz n-Si irradiated with 1-MeV electrons has been studied both experimentally and theoretically. It is found that the Sn impurity leads to the acceleration of the conductivity degradation in electron-irradiated nSi. The effect is more pronounced in high-resistance samples, whereas the rates of electron removal from low-resistance ones are almost identical in both materials. This fact can be explained by the difference between the formation efficiency of main compensating radiation- induced defects in n-Si doped with Sn (SnV and VP complexes) and undoped n-Si (mainly, VP complexes), which depends of the concentration of phosphorus in the samples. Експериментально дослiджено та проаналiзовано вплив iзовалентної домiшки олова на змiну концентрацiї вiльних електронiв у n-Si, вирощеному за методом Чохральського (Cz), опромiненому електронами з енергiєю 1 МеВ. Встановлено, що домiшка олова прискорює деградацiю провiдностi в опромiненому n-Si. Показано, що це прискорення є значним у бiльш високоомних зразках, а у низькоомних зразках швидкостi видалення вiльних електронiв в обох матерiалах майже зрiвнюються. Цей факт пояснюється вiдмiннiстю у ефективностях утворення основних компенсуючих радiацiйних дефектiв у n-Si з Sn (комплексiв SnV i VР) та n-Si без Sn (головним чином комплексiв VР) залежно вiд концентрацiї фосфору в зразках. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-06 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018289 10.15407/ujpe58.03.0243 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 3 (2013); 243 Український фізичний журнал; Том 58 № 3 (2013); 243 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.03 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018289/218 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018289/219 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
кремнiй електронне опромiнення iзовалентна домiшка олова silicon electron irradiation tin-vacancy complex |
| spellingShingle |
кремнiй електронне опромiнення iзовалентна домiшка олова silicon electron irradiation tin-vacancy complex Kras’ko, M. M. Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi |
| topic_facet |
кремнiй електронне опромiнення iзовалентна домiшка олова silicon electron irradiation tin-vacancy complex |
| format |
Article |
| author |
Kras’ko, M. M. |
| author_facet |
Kras’ko, M. M. |
| author_sort |
Kras’ko, M. M. |
| title |
Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi |
| title_short |
Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi |
| title_full |
Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi |
| title_fullStr |
Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi |
| title_full_unstemmed |
Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi |
| title_sort |
вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi |
| title_alt |
Influence of Tin Impurity on Degradation of Conductivity in Electron-Irradiated n-Si |
| description |
The influence of an isovalent tin impurity on the electron concentration in Cz n-Si irradiated with 1-MeV electrons has been studied both experimentally and theoretically. It is found that the Sn impurity leads to the acceleration of the conductivity degradation in electron-irradiated nSi. The effect is more pronounced in high-resistance samples, whereas the rates of electron removal from low-resistance ones are almost identical in both materials. This fact can be explained by the difference between the formation efficiency of main compensating radiation- induced defects in n-Si doped with Sn (SnV and VP complexes) and undoped n-Si (mainly, VP complexes), which depends of the concentration of phosphorus in the samples. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018289 |
| work_keys_str_mv |
AT kraskomm influenceoftinimpurityondegradationofconductivityinelectronirradiatednsi AT kraskomm vplivdomiškiolovanadegradaciûprovidnostivnkremniíprielektronnomuoprominenni |
| first_indexed |
2023-03-24T08:55:14Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:55:14Z |
| _version_ |
1795757605435473920 |