Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi
The influence of an isovalent tin impurity on the electron concentration in Cz n-Si irradiated with 1-MeV electrons has been studied both experimentally and theoretically. It is found that the Sn impurity leads to the acceleration of the conductivity degradation in electron-irradiated nSi. The effec...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018289 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131161982664704 |
|---|---|
| author | Kras’ko, M. M. |
| author_facet | Kras’ko, M. M. |
| author_sort | Kras’ko, M. M. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2019-03-05T14:19:08Z |
| description | The influence of an isovalent tin impurity on the electron concentration in Cz n-Si irradiated with 1-MeV electrons has been studied both experimentally and theoretically. It is found that the Sn impurity leads to the acceleration of the conductivity degradation in electron-irradiated nSi. The effect is more pronounced in high-resistance samples, whereas the rates of electron removal from low-resistance ones are almost identical in both materials. This fact can be explained by the difference between the formation efficiency of main compensating radiation- induced defects in n-Si doped with Sn (SnV and VP complexes) and undoped n-Si (mainly, VP complexes), which depends of the concentration of phosphorus in the samples. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe58.03.0243 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:14:17Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2018289 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-02T01:14:17Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20182892019-03-05T14:19:08Z Influence of Tin Impurity on Degradation of Conductivity in Electron-Irradiated n-Si Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi Kras’ko, M. M. кремнiй електронне опромiнення iзовалентна домiшка олова silicon electron irradiation tin-vacancy complex The influence of an isovalent tin impurity on the electron concentration in Cz n-Si irradiated with 1-MeV electrons has been studied both experimentally and theoretically. It is found that the Sn impurity leads to the acceleration of the conductivity degradation in electron-irradiated nSi. The effect is more pronounced in high-resistance samples, whereas the rates of electron removal from low-resistance ones are almost identical in both materials. This fact can be explained by the difference between the formation efficiency of main compensating radiation- induced defects in n-Si doped with Sn (SnV and VP complexes) and undoped n-Si (mainly, VP complexes), which depends of the concentration of phosphorus in the samples. Експериментально дослiджено та проаналiзовано вплив iзовалентної домiшки олова на змiну концентрацiї вiльних електронiв у n-Si, вирощеному за методом Чохральського (Cz), опромiненому електронами з енергiєю 1 МеВ. Встановлено, що домiшка олова прискорює деградацiю провiдностi в опромiненому n-Si. Показано, що це прискорення є значним у бiльш високоомних зразках, а у низькоомних зразках швидкостi видалення вiльних електронiв в обох матерiалах майже зрiвнюються. Цей факт пояснюється вiдмiннiстю у ефективностях утворення основних компенсуючих радiацiйних дефектiв у n-Si з Sn (комплексiв SnV i VР) та n-Si без Sn (головним чином комплексiв VР) залежно вiд концентрацiї фосфору в зразках. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-06 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018289 10.15407/ujpe58.03.0243 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 3 (2013); 243 Український фізичний журнал; Том 58 № 3 (2013); 243 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.03 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018289/218 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018289/219 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| spellingShingle | кремнiй електронне опромiнення iзовалентна домiшка олова Kras’ko, M. M. Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi |
| title | Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi |
| title_alt | Influence of Tin Impurity on Degradation of Conductivity in Electron-Irradiated n-Si |
| title_full | Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi |
| title_fullStr | Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi |
| title_full_unstemmed | Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi |
| title_short | Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi |
| title_sort | вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi |
| topic | кремнiй електронне опромiнення iзовалентна домiшка олова |
| topic_facet | кремнiй електронне опромiнення iзовалентна домiшка олова silicon electron irradiation tin-vacancy complex |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018289 |
| work_keys_str_mv | AT kraskomm influenceoftinimpurityondegradationofconductivityinelectronirradiatednsi AT kraskomm vplivdomiškiolovanadegradaciûprovidnostivnkremniíprielektronnomuoprominenni |