Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах

Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах

Characteristics of GaAs/InxGa1 xAs/GaAs heterostructures with a single quantum well, which were obtained at various growth parameters, are evaluated according to the results of measurements of low-temperature photoluminescence (PL) spectra and their corresponding theoretical analysis. The experiment...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2018
Hauptverfasser: Litovchenko, N. M., Korbutyak, D. V., Strilchuk, O. M.
Format: Artikel
Sprache:English
Ukrainian
Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2018
Schlagworte:
фотолюмiнесценцiя
квантова яма
екситон
фонон
Online Zugang:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2018291
record_format ojs
spelling ujp2-article-20182912019-03-05T14:23:54Z Excitonic Parameters of InxGa1-xAs-GaAs Heterostructures with Quantum Wells at Low Temperatures Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах Litovchenko, N. M. Korbutyak, D. V. Strilchuk, O. M. фотолюмiнесценцiя квантова яма екситон фонон photoluminescence quantum well exciton phonon Characteristics of GaAs/InxGa1 xAs/GaAs heterostructures with a single quantum well, which were obtained at various growth parameters, are evaluated according to the results of measurements of low-temperature photoluminescence (PL) spectra and their corresponding theoretical analysis. The experimentally obtained temperature dependences of the energy position of the PL band maximum, hmax, band half-width, W0, and intensity, I, are examined. The values of energy of local phonons, Eph, exciton binding energy, Eex, and the Huang–Rhys factor, N, are determined. A comparison between the values obtained for those quantities and the growth parameters of considered specimens allowed us to assert that the highest-quality specimens are those that are characterized by low N values and one-mode phonon spectra. Проведена оцiнка характеристик гетероструктур з одиночною квантовою ямою GaAs/InxGa1 xAs/GaAs з рiзними ростовими параметрами за результатами вимiрювань низькотемпературних спектрiв фотолюмiнесценцiї (ФЛ), з вiдповiдним теоретичним аналiзом. Проаналiзованi експериментально отриманi температурнi залежностi енергiї максимуму смуги ФЛ (hmax), пiвширини (W0) та iнтенсивностi I. Визначено параметри Eph (енергiя локальних фононiв), Eex (енергiя зв’язку екситонiв) та N (фактор Хуанга–Рiс). Проведене зiставлення отриманих значень Eph, Eex та N з ростовими параметрами зразкiв дає пiдставу стверджувати, що найбiльш якiсними є зразки з малим значенням N i одномодовим фононним спектром. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-06 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291 10.15407/ujpe58.03.0260 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 3 (2013); 260 Український фізичний журнал; Том 58 № 3 (2013); 260 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.03 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291/221 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291/222 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date 2019-03-05T14:23:54Z
collection OJS
language English
Ukrainian
topic фотолюмiнесценцiя
квантова яма
екситон
фонон
spellingShingle фотолюмiнесценцiя
квантова яма
екситон
фонон
Litovchenko, N. M.
Korbutyak, D. V.
Strilchuk, O. M.
Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
topic_facet фотолюмiнесценцiя
квантова яма
екситон
фонон
photoluminescence
quantum well
exciton
phonon
format Article
author Litovchenko, N. M.
Korbutyak, D. V.
Strilchuk, O. M.
author_facet Litovchenko, N. M.
Korbutyak, D. V.
Strilchuk, O. M.
author_sort Litovchenko, N. M.
title Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
title_short Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
title_full Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
title_fullStr Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
title_full_unstemmed Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
title_sort екситоннi характеристики inxga1-xas-gaas гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
title_alt Excitonic Parameters of InxGa1-xAs-GaAs Heterostructures with Quantum Wells at Low Temperatures
description Characteristics of GaAs/InxGa1 xAs/GaAs heterostructures with a single quantum well, which were obtained at various growth parameters, are evaluated according to the results of measurements of low-temperature photoluminescence (PL) spectra and their corresponding theoretical analysis. The experimentally obtained temperature dependences of the energy position of the PL band maximum, hmax, band half-width, W0, and intensity, I, are examined. The values of energy of local phonons, Eph, exciton binding energy, Eex, and the Huang–Rhys factor, N, are determined. A comparison between the values obtained for those quantities and the growth parameters of considered specimens allowed us to assert that the highest-quality specimens are those that are characterized by low N values and one-mode phonon spectra.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2018
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291
work_keys_str_mv AT litovchenkonm excitonicparametersofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumwellsatlowtemperatures
AT korbutyakdv excitonicparametersofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumwellsatlowtemperatures
AT strilchukom excitonicparametersofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumwellsatlowtemperatures
AT litovchenkonm eksitonniharakteristikiinxga1xasgaasgeterostrukturzkvantovimiâmamiprinizʹkihtemperaturah
AT korbutyakdv eksitonniharakteristikiinxga1xasgaasgeterostrukturzkvantovimiâmamiprinizʹkihtemperaturah
AT strilchukom eksitonniharakteristikiinxga1xasgaasgeterostrukturzkvantovimiâmamiprinizʹkihtemperaturah
first_indexed 2025-10-02T01:14:18Z
last_indexed 2025-10-02T01:14:18Z
_version_ 1851765061069045760

Ähnliche Einträge