Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
Characteristics of GaAs/InxGa1 xAs/GaAs heterostructures with a single quantum well, which were obtained at various growth parameters, are evaluated according to the results of measurements of low-temperature photoluminescence (PL) spectra and their corresponding theoretical analysis. The experiment...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозиторії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018291 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20182912019-03-05T14:23:54Z Excitonic Parameters of InxGa1-xAs-GaAs Heterostructures with Quantum Wells at Low Temperatures Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах Litovchenko, N. M. Korbutyak, D. V. Strilchuk, O. M. фотолюмiнесценцiя квантова яма екситон фонон photoluminescence quantum well exciton phonon Characteristics of GaAs/InxGa1 xAs/GaAs heterostructures with a single quantum well, which were obtained at various growth parameters, are evaluated according to the results of measurements of low-temperature photoluminescence (PL) spectra and their corresponding theoretical analysis. The experimentally obtained temperature dependences of the energy position of the PL band maximum, hmax, band half-width, W0, and intensity, I, are examined. The values of energy of local phonons, Eph, exciton binding energy, Eex, and the Huang–Rhys factor, N, are determined. A comparison between the values obtained for those quantities and the growth parameters of considered specimens allowed us to assert that the highest-quality specimens are those that are characterized by low N values and one-mode phonon spectra. Проведена оцiнка характеристик гетероструктур з одиночною квантовою ямою GaAs/InxGa1 xAs/GaAs з рiзними ростовими параметрами за результатами вимiрювань низькотемпературних спектрiв фотолюмiнесценцiї (ФЛ), з вiдповiдним теоретичним аналiзом. Проаналiзованi експериментально отриманi температурнi залежностi енергiї максимуму смуги ФЛ (hmax), пiвширини (W0) та iнтенсивностi I. Визначено параметри Eph (енергiя локальних фононiв), Eex (енергiя зв’язку екситонiв) та N (фактор Хуанга–Рiс). Проведене зiставлення отриманих значень Eph, Eex та N з ростовими параметрами зразкiв дає пiдставу стверджувати, що найбiльш якiсними є зразки з малим значенням N i одномодовим фононним спектром. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-06 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291 10.15407/ujpe58.03.0260 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 3 (2013); 260 Український фізичний журнал; Том 58 № 3 (2013); 260 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.03 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291/221 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291/222 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
фотолюмiнесценцiя квантова яма екситон фонон photoluminescence quantum well exciton phonon |
| spellingShingle |
фотолюмiнесценцiя квантова яма екситон фонон photoluminescence quantum well exciton phonon Litovchenko, N. M. Korbutyak, D. V. Strilchuk, O. M. Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах |
| topic_facet |
фотолюмiнесценцiя квантова яма екситон фонон photoluminescence quantum well exciton phonon |
| format |
Article |
| author |
Litovchenko, N. M. Korbutyak, D. V. Strilchuk, O. M. |
| author_facet |
Litovchenko, N. M. Korbutyak, D. V. Strilchuk, O. M. |
| author_sort |
Litovchenko, N. M. |
| title |
Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах |
| title_short |
Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах |
| title_full |
Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах |
| title_fullStr |
Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах |
| title_full_unstemmed |
Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах |
| title_sort |
екситоннi характеристики inxga1-xas-gaas гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах |
| title_alt |
Excitonic Parameters of InxGa1-xAs-GaAs Heterostructures with Quantum Wells at Low Temperatures |
| description |
Characteristics of GaAs/InxGa1 xAs/GaAs heterostructures with a single quantum well, which were obtained at various growth parameters, are evaluated according to the results of measurements of low-temperature photoluminescence (PL) spectra and their corresponding theoretical analysis. The experimentally obtained temperature dependences of the energy position of the PL band maximum, hmax, band half-width, W0, and intensity, I, are examined. The values of energy of local phonons, Eph, exciton binding energy, Eex, and the Huang–Rhys factor, N, are determined. A comparison between the values obtained for those quantities and the growth parameters of considered specimens allowed us to assert that the highest-quality specimens are those that are characterized by low N values and one-mode phonon spectra. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291 |
| work_keys_str_mv |
AT litovchenkonm excitonicparametersofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumwellsatlowtemperatures AT korbutyakdv excitonicparametersofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumwellsatlowtemperatures AT strilchukom excitonicparametersofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumwellsatlowtemperatures AT litovchenkonm eksitonniharakteristikiinxga1xasgaasgeterostrukturzkvantovimiâmamiprinizʹkihtemperaturah AT korbutyakdv eksitonniharakteristikiinxga1xasgaasgeterostrukturzkvantovimiâmamiprinizʹkihtemperaturah AT strilchukom eksitonniharakteristikiinxga1xasgaasgeterostrukturzkvantovimiâmamiprinizʹkihtemperaturah |
| first_indexed |
2023-03-24T08:55:15Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:55:15Z |
| _version_ |
1795757605649383424 |