Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
Characteristics of GaAs/InxGa1 xAs/GaAs heterostructures with a single quantum well, which were obtained at various growth parameters, are evaluated according to the results of measurements of low-temperature photoluminescence (PL) spectra and their corresponding theoretical analysis. The experiment...
Saved in:
| Date: | 2018 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English Ukrainian |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131162029850624 |
|---|---|
| author | Litovchenko, N. M. Korbutyak, D. V. Strilchuk, O. M. |
| author_facet | Litovchenko, N. M. Korbutyak, D. V. Strilchuk, O. M. |
| author_sort | Litovchenko, N. M. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2019-03-05T14:23:54Z |
| description | Characteristics of GaAs/InxGa1 xAs/GaAs heterostructures with a single quantum well, which were obtained at various growth parameters, are evaluated according to the results of measurements of low-temperature photoluminescence (PL) spectra and their corresponding theoretical analysis. The experimentally obtained temperature dependences of the energy position of the PL band maximum, hmax, band half-width, W0, and intensity, I, are examined. The values of energy of local phonons, Eph, exciton binding energy, Eex, and the Huang–Rhys factor, N, are determined. A comparison between the values obtained for those quantities and the growth parameters of considered specimens allowed us to assert that the highest-quality specimens are those that are characterized by low N values and one-mode phonon spectra. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe58.03.0260 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:14:18Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2018291 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-02T01:14:18Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20182912019-03-05T14:23:54Z Excitonic Parameters of InxGa1-xAs-GaAs Heterostructures with Quantum Wells at Low Temperatures Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах Litovchenko, N. M. Korbutyak, D. V. Strilchuk, O. M. фотолюмiнесценцiя квантова яма екситон фонон photoluminescence quantum well exciton phonon Characteristics of GaAs/InxGa1 xAs/GaAs heterostructures with a single quantum well, which were obtained at various growth parameters, are evaluated according to the results of measurements of low-temperature photoluminescence (PL) spectra and their corresponding theoretical analysis. The experimentally obtained temperature dependences of the energy position of the PL band maximum, hmax, band half-width, W0, and intensity, I, are examined. The values of energy of local phonons, Eph, exciton binding energy, Eex, and the Huang–Rhys factor, N, are determined. A comparison between the values obtained for those quantities and the growth parameters of considered specimens allowed us to assert that the highest-quality specimens are those that are characterized by low N values and one-mode phonon spectra. Проведена оцiнка характеристик гетероструктур з одиночною квантовою ямою GaAs/InxGa1 xAs/GaAs з рiзними ростовими параметрами за результатами вимiрювань низькотемпературних спектрiв фотолюмiнесценцiї (ФЛ), з вiдповiдним теоретичним аналiзом. Проаналiзованi експериментально отриманi температурнi залежностi енергiї максимуму смуги ФЛ (hmax), пiвширини (W0) та iнтенсивностi I. Визначено параметри Eph (енергiя локальних фононiв), Eex (енергiя зв’язку екситонiв) та N (фактор Хуанга–Рiс). Проведене зiставлення отриманих значень Eph, Eex та N з ростовими параметрами зразкiв дає пiдставу стверджувати, що найбiльш якiсними є зразки з малим значенням N i одномодовим фононним спектром. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-06 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291 10.15407/ujpe58.03.0260 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 3 (2013); 260 Український фізичний журнал; Том 58 № 3 (2013); 260 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.03 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291/221 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291/222 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| spellingShingle | фотолюмiнесценцiя квантова яма екситон фонон Litovchenko, N. M. Korbutyak, D. V. Strilchuk, O. M. Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах |
| title | Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах |
| title_alt | Excitonic Parameters of InxGa1-xAs-GaAs Heterostructures with Quantum Wells at Low Temperatures |
| title_full | Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах |
| title_fullStr | Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах |
| title_full_unstemmed | Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах |
| title_short | Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах |
| title_sort | екситоннi характеристики inxga1-xas-gaas гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах |
| topic | фотолюмiнесценцiя квантова яма екситон фонон |
| topic_facet | фотолюмiнесценцiя квантова яма екситон фонон photoluminescence quantum well exciton phonon |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291 |
| work_keys_str_mv | AT litovchenkonm excitonicparametersofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumwellsatlowtemperatures AT korbutyakdv excitonicparametersofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumwellsatlowtemperatures AT strilchukom excitonicparametersofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumwellsatlowtemperatures AT litovchenkonm eksitonniharakteristikiinxga1xasgaasgeterostrukturzkvantovimiâmamiprinizʹkihtemperaturah AT korbutyakdv eksitonniharakteristikiinxga1xasgaasgeterostrukturzkvantovimiâmamiprinizʹkihtemperaturah AT strilchukom eksitonniharakteristikiinxga1xasgaasgeterostrukturzkvantovimiâmamiprinizʹkihtemperaturah |