Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
The parameters of film injection photodetectors (FIPDs) created on the basis of solid solutions of A2B6 compounds for a spectral range of 500–650 nm have been studied. The sensitive region of FIPDs is formed as a sandwich from films with different composition contents and different energy gap widths...
Saved in:
| Date: | 2018 |
|---|---|
| Main Authors: | Mirsagatov, Sh. A., Zaveryukhin, B. N., Ataboev, O. K., Zaveryukhina, N. N. |
| Format: | Article |
| Language: | English Ukrainian |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018315 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsSimilar Items
Cascade injection photodetector for the 500−650-nm spectral range on the basis of solid solutions of A2B6 compounds
by: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Published: (2013)
by: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Published: (2013)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Sоlоdukha, V. A., et al.
Published: (2012)
by: Sоlоdukha, V. A., et al.
Published: (2012)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2013)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2013)
Cascade injection photodetector for the 500−650-nm spectral range on the basis of solid solutions of A2B6 compounds
by: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Published: (2013)
by: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Published: (2013)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2007)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2007)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2009)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2009)
Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2007)
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2007)
Двухспектральный фотоприемник
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2005)
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2005)
Двухспектральный фотоприемник
by: Dobrovol’sky, Yu. G., et al.
Published: (2005)
by: Dobrovol’sky, Yu. G., et al.
Published: (2005)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2005)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2005)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2006)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2006)
Новое поколение преобразователей "ток – напряжение" для измерения фотосигналов
by: Butenko, V. K., et al.
Published: (2008)
by: Butenko, V. K., et al.
Published: (2008)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
by: Yatsunenko, A. G., et al.
Published: (2005)
by: Yatsunenko, A. G., et al.
Published: (2005)
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
by: Perevertailo, V. L., et al.
Published: (2010)
by: Perevertailo, V. L., et al.
Published: (2010)
Непрерывное поглощение и депрессия в спектре Солнца в области λ = 650...820 нм
by: Ваврух, М.В., et al.
Published: (2016)
by: Ваврух, М.В., et al.
Published: (2016)
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
by: Yodgorova, D. M.
Published: (2010)
by: Yodgorova, D. M.
Published: (2010)
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2011)
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2011)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2007)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2007)
Новые измерения солнечного спектра в абсолютных энергетических единицах в спектральной области λλ 650-1070 нм
by: Бурлов-Васильев, К.А., et al.
Published: (1996)
by: Бурлов-Васильев, К.А., et al.
Published: (1996)
Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
by: Politanskyy, L. F., et al.
Published: (2008)
by: Politanskyy, L. F., et al.
Published: (2008)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
by: Baranov, V. V., et al.
Published: (2007)
by: Baranov, V. V., et al.
Published: (2007)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
by: Abdulkhaev, O. A., et al.
Published: (2015)
by: Abdulkhaev, O. A., et al.
Published: (2015)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)
Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
by: Doktorovich, I. V., et al.
Published: (2015)
by: Doktorovich, I. V., et al.
Published: (2015)
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
by: Vikulin, I. M., et al.
Published: (2003)
by: Vikulin, I. M., et al.
Published: (2003)
Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм.
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2004)
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2004)
Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2004)
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2004)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
by: Anufriev, L. P., et al.
Published: (2005)
by: Anufriev, L. P., et al.
Published: (2005)
Оптоэлектронные сенсоры газов на основе многоэлементных источников ИК-излучения
by: Kabatsiy, V. N.
Published: (2010)
by: Kabatsiy, V. N.
Published: (2010)
ВЕРИФІКАЦІЯ РЕЗУЛЬТАТІВ СПЕКТРАЛЬНОГО АНАЛІЗУ РИТМОКАРДІОГРАМИ
by: Яворська, Є. Б.
Published: (2013)
by: Яворська, Є. Б.
Published: (2013)
Верифікація результатів спектрального аналізу ритмокардіограми
by: Яворська, Є.Б.
Published: (2009)
by: Яворська, Є.Б.
Published: (2009)
Технология изготовления лазерных красителей для диапазона 472-600 нм
by: Кругленко, В.П., et al.
Published: (2002)
by: Кругленко, В.П., et al.
Published: (2002)
Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
by: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Published: (2013)
by: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Published: (2013)
Spectral and flurescent characteristics of laser dyes for 650-800 nm range
by: Maslov, V.V.
Published: (2006)
by: Maslov, V.V.
Published: (2006)
Дифузійне фазоутворення в нанорозмірних шаруватих плівкових композиціях Pt(15 нм)/Fe(15 нм) і (Pt(7,5 нм)/Fe(7,5 нм))₂ на підкладках SiO₂(100 нм)/Si(001)
by: Макогон, Ю.Н., et al.
Published: (2014)
by: Макогон, Ю.Н., et al.
Published: (2014)
Названо 500 найкращих ВНЗ у світі
Published: (2011)
Published: (2011)
Light interconnects for medium-temperature (550...650S) solid oxide fuel cells
by: O. P. Ostash, et al.
Published: (2021)
by: O. P. Ostash, et al.
Published: (2021)
Similar Items
-
Cascade injection photodetector for the 500−650-nm spectral range on the basis of solid solutions of A2B6 compounds
by: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Published: (2013) -
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Sоlоdukha, V. A., et al.
Published: (2012) -
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2013) -
Cascade injection photodetector for the 500−650-nm spectral range on the basis of solid solutions of A2B6 compounds
by: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Published: (2013) -
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)