Електрофiзичнi характеристики приповерхневих шарiв кристалiв Si p-типу, з напиленими плiвками Al, пiдданих пружнiй деформацiї

• Дата: 2018
• Автори: Pavlyk, B. V., Kushlyk, M. O., Didyk, R. I., Shykorjak, Y. A., Slobodzyan, D. P., Kulyk, B. Y.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Теми: одновiсна пружна деформацiя; кристалiчна ґратка; гетероструктура; епiтаксiальне напилювання; гетерування; хмарина Котрелла; uniaxial elastic strain; crystal lattice; heterostructure; epitaxial growth; gettering; Cottrell atmosphere
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018346
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The deposition of Al film onto the (111) surface of a p-Si crystal was shown to induce a deformation in the near-surface layer of the latter. Provided that the crystal strain is elastic and uniaxial, the gettering of defects in the near-surface layer is observed, which is confirmed by a change in th...