Електрофiзичнi характеристики приповерхневих шарiв кристалiв Si p-типу, з напиленими плiвками Al, пiдданих пружнiй деформацiї
The deposition of Al film onto the (111) surface of a p-Si crystal was shown to induce a deformation in the near-surface layer of the latter. Provided that the crystal strain is elastic and uniaxial, the gettering of defects in the near-surface layer is observed, which is confirmed by a change in th...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018346 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018346 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20183462019-03-08T08:59:17Z Electrophysical Characteristics of Near-Surface Layers in p-Si Crystals with Sputtered Al Films and Subjected to Elastic Deformation Електрофiзичнi характеристики приповерхневих шарiв кристалiв Si p-типу, з напиленими плiвками Al, пiдданих пружнiй деформацiї Pavlyk, B. V. Kushlyk, M. O. Didyk, R. I. Shykorjak, Y. A. Slobodzyan, D. P. Kulyk, B. Y. одновiсна пружна деформацiя кристалiчна ґратка гетероструктура епiтаксiальне напилювання гетерування хмарина Котрелла uniaxial elastic strain crystal lattice heterostructure epitaxial growth gettering Cottrell atmosphere The deposition of Al film onto the (111) surface of a p-Si crystal was shown to induce a deformation in the near-surface layer of the latter. Provided that the crystal strain is elastic and uniaxial, the gettering of defects in the near-surface layer is observed, which is confirmed by a change in the dependence of the specimen resistance on the elastic strain magnitude. The maximum depth of the defect capture has been calculated on the basis of the energy of interaction between the deformed layer and dislocations. Показано, що осаджена плiвка Al на поверхню (111) кристала Si(p) формує деформацiйне поле в приповерхневому шарi. За одновiсної пружної деформацiї кристала спостерiгається гетерування дефектiв з об’єму зразка у приповерхневому шарi пiд напиленою плiвкою. Отримана залежнiсть змiни величини опору цих зразкiв вiд величини пружної деформацiї пiдтверджує гетерування електрично активних дефектiв у приповерхневому деформованому шарi. Проведено теоретичнi розрахунки максимальної глибини захоплення цих дефектiв на основi енергiї взаємодiї деформованого шару та дислокацiй. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-10 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018346 10.15407/ujpe58.08.0742 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 8 (2013); 742 Український фізичний журнал; Том 58 № 8 (2013); 742 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.08 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018346/305 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018346/306 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
одновiсна пружна деформацiя кристалiчна ґратка гетероструктура епiтаксiальне напилювання гетерування хмарина Котрелла uniaxial elastic strain crystal lattice heterostructure epitaxial growth gettering Cottrell atmosphere |
| spellingShingle |
одновiсна пружна деформацiя кристалiчна ґратка гетероструктура епiтаксiальне напилювання гетерування хмарина Котрелла uniaxial elastic strain crystal lattice heterostructure epitaxial growth gettering Cottrell atmosphere Pavlyk, B. V. Kushlyk, M. O. Didyk, R. I. Shykorjak, Y. A. Slobodzyan, D. P. Kulyk, B. Y. Електрофiзичнi характеристики приповерхневих шарiв кристалiв Si p-типу, з напиленими плiвками Al, пiдданих пружнiй деформацiї |
| topic_facet |
одновiсна пружна деформацiя кристалiчна ґратка гетероструктура епiтаксiальне напилювання гетерування хмарина Котрелла uniaxial elastic strain crystal lattice heterostructure epitaxial growth gettering Cottrell atmosphere |
| format |
Article |
| author |
Pavlyk, B. V. Kushlyk, M. O. Didyk, R. I. Shykorjak, Y. A. Slobodzyan, D. P. Kulyk, B. Y. |
| author_facet |
Pavlyk, B. V. Kushlyk, M. O. Didyk, R. I. Shykorjak, Y. A. Slobodzyan, D. P. Kulyk, B. Y. |
| author_sort |
Pavlyk, B. V. |
| title |
Електрофiзичнi характеристики приповерхневих шарiв кристалiв Si p-типу, з напиленими плiвками Al, пiдданих пружнiй деформацiї |
| title_short |
Електрофiзичнi характеристики приповерхневих шарiв кристалiв Si p-типу, з напиленими плiвками Al, пiдданих пружнiй деформацiї |
| title_full |
Електрофiзичнi характеристики приповерхневих шарiв кристалiв Si p-типу, з напиленими плiвками Al, пiдданих пружнiй деформацiї |
| title_fullStr |
Електрофiзичнi характеристики приповерхневих шарiв кристалiв Si p-типу, з напиленими плiвками Al, пiдданих пружнiй деформацiї |
| title_full_unstemmed |
Електрофiзичнi характеристики приповерхневих шарiв кристалiв Si p-типу, з напиленими плiвками Al, пiдданих пружнiй деформацiї |
| title_sort |
електрофiзичнi характеристики приповерхневих шарiв кристалiв si p-типу, з напиленими плiвками al, пiдданих пружнiй деформацiї |
| title_alt |
Electrophysical Characteristics of Near-Surface Layers in p-Si Crystals with Sputtered Al Films and Subjected to Elastic Deformation |
| description |
The deposition of Al film onto the (111) surface of a p-Si crystal was shown to induce a deformation in the near-surface layer of the latter. Provided that the crystal strain is elastic and uniaxial, the gettering of defects in the near-surface layer is observed, which is confirmed by a change in the dependence of the specimen resistance on the elastic strain magnitude. The maximum depth of the defect capture has been calculated on the basis of the energy of interaction between the deformed layer and dislocations. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018346 |
| work_keys_str_mv |
AT pavlykbv electrophysicalcharacteristicsofnearsurfacelayersinpsicrystalswithsputteredalfilmsandsubjectedtoelasticdeformation AT kushlykmo electrophysicalcharacteristicsofnearsurfacelayersinpsicrystalswithsputteredalfilmsandsubjectedtoelasticdeformation AT didykri electrophysicalcharacteristicsofnearsurfacelayersinpsicrystalswithsputteredalfilmsandsubjectedtoelasticdeformation AT shykorjakya electrophysicalcharacteristicsofnearsurfacelayersinpsicrystalswithsputteredalfilmsandsubjectedtoelasticdeformation AT slobodzyandp electrophysicalcharacteristicsofnearsurfacelayersinpsicrystalswithsputteredalfilmsandsubjectedtoelasticdeformation AT kulykby electrophysicalcharacteristicsofnearsurfacelayersinpsicrystalswithsputteredalfilmsandsubjectedtoelasticdeformation AT pavlykbv elektrofizičniharakteristikipripoverhnevihšarivkristalivsiptipuznapilenimiplivkamialpiddanihpružnijdeformacií AT kushlykmo elektrofizičniharakteristikipripoverhnevihšarivkristalivsiptipuznapilenimiplivkamialpiddanihpružnijdeformacií AT didykri elektrofizičniharakteristikipripoverhnevihšarivkristalivsiptipuznapilenimiplivkamialpiddanihpružnijdeformacií AT shykorjakya elektrofizičniharakteristikipripoverhnevihšarivkristalivsiptipuznapilenimiplivkamialpiddanihpružnijdeformacií AT slobodzyandp elektrofizičniharakteristikipripoverhnevihšarivkristalivsiptipuznapilenimiplivkamialpiddanihpružnijdeformacií AT kulykby elektrofizičniharakteristikipripoverhnevihšarivkristalivsiptipuznapilenimiplivkamialpiddanihpružnijdeformacií |
| first_indexed |
2023-03-24T08:55:26Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:55:26Z |
| _version_ |
1795757611422842880 |