Вплив високотемпературного вiдпалу на структуру та край власного поглинання тонкоплiвкового кремнiю, легованого оловом
Influence of isochronal annealing in the range of 350–1100 oC on the structural properties and the intrinsic absorption edge in thin silicon films doped with tin (a-SiSn) has been studied. It is found that as-deposited a-SiSn films with a tin content of about 4 at.%, unlike undoped a-Si ones, contai...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018349 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018349 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20183492019-03-08T09:04:44Z Influence of High Temperature Annealing on the Structure and the Intrinsic Absorption Edge of Thin-Film Silicon Doped With Tin Вплив високотемпературного вiдпалу на структуру та край власного поглинання тонкоплiвкового кремнiю, легованого оловом Rudenko, R. M. Voitovych, V. V. Kras’ko, M. M. Kolosyuk, A. G. Kraichynskyi, A. M. Yukhymchuk, V. O. Makara, V. A. тонкоплiвковий кремнiй легування оловом кристалiзацiя оптична заборонена зона iзохронний вiдпал thin-film silicon doping with tin crystallization optical band gap isochronal annealing Influence of isochronal annealing in the range of 350–1100 oC on the structural properties and the intrinsic absorption edge in thin silicon films doped with tin (a-SiSn) has been studied. It is found that as-deposited a-SiSn films with a tin content of about 4 at.%, unlike undoped a-Si ones, contain silicon nanocrystals with a crystallite size of about 4 nm and a crystalline fraction of about 65%. It is shown that, in the course of isochronal annealing of a-SiSn specimens in the interval of 350–1100 oC, the size of silicon nanocrystals in the amorphous matrix gradually increases to about 7 nm, and the fraction of crystalline phase to about 100%. Crystallization in undoped a-Si is observed only after the annealing at temperatures above 700 oC. The influence of tin on the optical band gap in a-Si as a function of the isochronal annealing temperature is analyzed. Дослiджено вплив iзохронного вiдпалу в дiапазонi 350–1100 oС на структурнi властивостi та край власного поглинання тонких плiвок кремнiю, легованих оловом (a-SiSn). Отримано, що у структурi a-SiSn (олова ~4 ат. %), на вiдмiну вiд нелегованого a-Si, зразу пiсля осадження присутнi нанокристали кремнiю (розмiр кристалiтiв ~4 нм, частка кристалiчної фази ~65%). Показано, що iзохронний вiдпал a-SiSn в дiапазонi 350–1100 oС поступово збiльшує розмiри нанокристалiв кремнiю в аморфнiй матрицi до ~7 нм, а частку кристалiчної фази до ~100%. Кристалiзацiя нелегованого оловом a-Si починається лише при температурах вiдпалу бiльше 700 oС. Проаналiзовано вплив олова на оптичну ширину забороненої зони a-Si залежно вiд температури iзохронного вiдпалу. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-10 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018349 10.15407/ujpe58.08.0769 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 8 (2013); 769 Український фізичний журнал; Том 58 № 8 (2013); 769 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.08 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018349/310 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018349/311 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
тонкоплiвковий кремнiй легування оловом кристалiзацiя оптична заборонена зона iзохронний вiдпал thin-film silicon doping with tin crystallization optical band gap isochronal annealing |
| spellingShingle |
тонкоплiвковий кремнiй легування оловом кристалiзацiя оптична заборонена зона iзохронний вiдпал thin-film silicon doping with tin crystallization optical band gap isochronal annealing Rudenko, R. M. Voitovych, V. V. Kras’ko, M. M. Kolosyuk, A. G. Kraichynskyi, A. M. Yukhymchuk, V. O. Makara, V. A. Вплив високотемпературного вiдпалу на структуру та край власного поглинання тонкоплiвкового кремнiю, легованого оловом |
| topic_facet |
тонкоплiвковий кремнiй легування оловом кристалiзацiя оптична заборонена зона iзохронний вiдпал thin-film silicon doping with tin crystallization optical band gap isochronal annealing |
| format |
Article |
| author |
Rudenko, R. M. Voitovych, V. V. Kras’ko, M. M. Kolosyuk, A. G. Kraichynskyi, A. M. Yukhymchuk, V. O. Makara, V. A. |
| author_facet |
Rudenko, R. M. Voitovych, V. V. Kras’ko, M. M. Kolosyuk, A. G. Kraichynskyi, A. M. Yukhymchuk, V. O. Makara, V. A. |
| author_sort |
Rudenko, R. M. |
| title |
Вплив високотемпературного вiдпалу на структуру та край власного поглинання тонкоплiвкового кремнiю, легованого оловом |
| title_short |
Вплив високотемпературного вiдпалу на структуру та край власного поглинання тонкоплiвкового кремнiю, легованого оловом |
| title_full |
Вплив високотемпературного вiдпалу на структуру та край власного поглинання тонкоплiвкового кремнiю, легованого оловом |
| title_fullStr |
Вплив високотемпературного вiдпалу на структуру та край власного поглинання тонкоплiвкового кремнiю, легованого оловом |
| title_full_unstemmed |
Вплив високотемпературного вiдпалу на структуру та край власного поглинання тонкоплiвкового кремнiю, легованого оловом |
| title_sort |
вплив високотемпературного вiдпалу на структуру та край власного поглинання тонкоплiвкового кремнiю, легованого оловом |
| title_alt |
Influence of High Temperature Annealing on the Structure and the Intrinsic Absorption Edge of Thin-Film Silicon Doped With Tin |
| description |
Influence of isochronal annealing in the range of 350–1100 oC on the structural properties and the intrinsic absorption edge in thin silicon films doped with tin (a-SiSn) has been studied. It is found that as-deposited a-SiSn films with a tin content of about 4 at.%, unlike undoped a-Si ones, contain silicon nanocrystals with a crystallite size of about 4 nm and a crystalline fraction of about 65%. It is shown that, in the course of isochronal annealing of a-SiSn specimens in the interval of 350–1100 oC, the size of silicon nanocrystals in the amorphous matrix gradually increases to about 7 nm, and the fraction of crystalline phase to about 100%. Crystallization in undoped a-Si is observed only after the annealing at temperatures above 700 oC. The influence of tin on the optical band gap in a-Si as a function of the isochronal annealing temperature is analyzed. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018349 |
| work_keys_str_mv |
AT rudenkorm influenceofhightemperatureannealingonthestructureandtheintrinsicabsorptionedgeofthinfilmsilicondopedwithtin AT voitovychvv influenceofhightemperatureannealingonthestructureandtheintrinsicabsorptionedgeofthinfilmsilicondopedwithtin AT kraskomm influenceofhightemperatureannealingonthestructureandtheintrinsicabsorptionedgeofthinfilmsilicondopedwithtin AT kolosyukag influenceofhightemperatureannealingonthestructureandtheintrinsicabsorptionedgeofthinfilmsilicondopedwithtin AT kraichynskyiam influenceofhightemperatureannealingonthestructureandtheintrinsicabsorptionedgeofthinfilmsilicondopedwithtin AT yukhymchukvo influenceofhightemperatureannealingonthestructureandtheintrinsicabsorptionedgeofthinfilmsilicondopedwithtin AT makarava influenceofhightemperatureannealingonthestructureandtheintrinsicabsorptionedgeofthinfilmsilicondopedwithtin AT rudenkorm vplivvisokotemperaturnogovidpalunastrukturutakrajvlasnogopoglinannâtonkoplivkovogokremniûlegovanogoolovom AT voitovychvv vplivvisokotemperaturnogovidpalunastrukturutakrajvlasnogopoglinannâtonkoplivkovogokremniûlegovanogoolovom AT kraskomm vplivvisokotemperaturnogovidpalunastrukturutakrajvlasnogopoglinannâtonkoplivkovogokremniûlegovanogoolovom AT kolosyukag vplivvisokotemperaturnogovidpalunastrukturutakrajvlasnogopoglinannâtonkoplivkovogokremniûlegovanogoolovom AT kraichynskyiam vplivvisokotemperaturnogovidpalunastrukturutakrajvlasnogopoglinannâtonkoplivkovogokremniûlegovanogoolovom AT yukhymchukvo vplivvisokotemperaturnogovidpalunastrukturutakrajvlasnogopoglinannâtonkoplivkovogokremniûlegovanogoolovom AT makarava vplivvisokotemperaturnogovidpalunastrukturutakrajvlasnogopoglinannâtonkoplivkovogokremniûlegovanogoolovom |
| first_indexed |
2023-03-24T08:55:27Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:55:27Z |
| _version_ |
1795757611743707136 |