Вплив високотемпературного вiдпалу на структуру та край власного поглинання тонкоплiвкового кремнiю, легованого оловом

• Дата: 2018
• Автори: Rudenko, R. M., Voitovych, V. V., Kras’ko, M. M., Kolosyuk, A. G., Kraichynskyi, A. M., Yukhymchuk, V. O., Makara, V. A.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Теми: тонкоплiвковий кремнiй; легування оловом; кристалiзацiя; оптична заборонена зона; iзохронний вiдпал; thin-film silicon; doping with tin; crystallization; optical band gap; isochronal annealing
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018349
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Influence of isochronal annealing in the range of 350–1100 oC on the structural properties and the intrinsic absorption edge in thin silicon films doped with tin (a-SiSn) has been studied. It is found that as-deposited a-SiSn films with a tin content of about 4 at.%, unlike undoped a-Si ones, contai...