Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений

• Дата: 2018
• Автори: Pagava, T. A., Beridze, M. G., Maisuradze, N. I., Chkhartishvili, L. S., Kalandadze, I. G.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Теми: разупорядоченные области; протонное облучение; эффективная холловская подвижность; кремний; disordered regions; proton irradiation; effective Hall mobility; silicon
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018350
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The nature and dimensions of disordered regions emerged in n-Si single crystals irradiated with high-energy (25 MeV) protons have been studied by carrying out Hall measurements of their electrophysical parameters. Specimens fabricated with the use of the zone-melting technique and doped with phospho...