Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений

The nature and dimensions of disordered regions emerged in n-Si single crystals irradiated with high-energy (25 MeV) protons have been studied by carrying out Hall measurements of their electrophysical parameters. Specimens fabricated with the use of the zone-melting technique and doped with phospho...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2018
Main Authors:	Pagava, T. A., Beridze, M. G., Maisuradze, N. I., Chkhartishvili, L. S., Kalandadze, I. G.
Format:	Article
Language:	English Ukrainian
Published:	Publishing house "Academperiodika" 2018
Subjects:	разупорядоченные области протонное облучение эффективная холловская подвижность кремний
Online Access:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018350
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

id	ujp2-article-2018350
record_format	ojs
spelling	ujp2-article-20183502019-03-08T09:06:04Z Hall-Effect Study of Disordered Regions in Proton-Irradiated n-Si Crystals Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений Pagava, T. A. Beridze, M. G. Maisuradze, N. I. Chkhartishvili, L. S. Kalandadze, I. G. разупорядоченные области протонное облучение эффективная холловская подвижность кремний disordered regions proton irradiation effective Hall mobility silicon The nature and dimensions of disordered regions emerged in n-Si single crystals irradiated with high-energy (25 MeV) protons have been studied by carrying out Hall measurements of their electrophysical parameters. Specimens fabricated with the use of the zone-melting technique and doped with phosphorus to a concentration of 6x10^13 cm^-3 are investigated. Irradiation was carried out at room temperature to exposure doses of (1.8–8.1)x10^12 cm^-2. Depending on the irradiation dose and the temperature of isochronous annealing, some specimens irradiated with high-energy protons revealed a drastic increase of the effective Hall mobility мeff, which is explained by the emergence of “metallic” inclusions in them, i.e. regions with the conductivity considerably higher in comparison with that of the semiconductor matrix. The radius of those regions was estimated to be Rm < 80 nm. An assumption was made that the “metallic” inclusions are nano-sized atomic clusters. Целью работы является исследование природы и размеров разупорядоченных областей, создаваемых в монокристаллах n-Si облучением высокоэнергетическими (25 МэВ) протонами, посредством холловских измерений электрофизических параметров. Использовались зонноплавленные образцы, легированные фосфором с концентрацией 6x10^13 cm^-3. Облучение проводилось при комнатной температуре в интервале доз (1,8–8,1)x10^12 cm^-2. В ряде образцов, в зависимости от дозы облучения и температуры изохронного отжига, наблюдалось резкое увеличение эффективной холловской подвижности мeff, что объясняется образованием в образцах при их облучении высокоэнергетическими протонами “металлических” включений, т.е. областей с проводимостью существенно выше по сравнению с проводимостью полупроводниковой матрицы. Радиус подобных областей оценен как Rm < 80 нм. Высказано предположение, что “металлические” включения являются наноразмерными атомными кластерами. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-10 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018350 10.15407/ujpe58.08.0773 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 8 (2013); 773 Український фізичний журнал; Том 58 № 8 (2013); 773 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.08 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018350/312 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018350/313 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution	Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date	2019-03-08T09:06:04Z
collection	OJS
language	English Ukrainian
topic	разупорядоченные области протонное облучение эффективная холловская подвижность кремний
spellingShingle	разупорядоченные области протонное облучение эффективная холловская подвижность кремний Pagava, T. A. Beridze, M. G. Maisuradze, N. I. Chkhartishvili, L. S. Kalandadze, I. G. Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
topic_facet	разупорядоченные области протонное облучение эффективная холловская подвижность кремний disordered regions proton irradiation effective Hall mobility silicon
format	Article
author	Pagava, T. A. Beridze, M. G. Maisuradze, N. I. Chkhartishvili, L. S. Kalandadze, I. G.
author_facet	Pagava, T. A. Beridze, M. G. Maisuradze, N. I. Chkhartishvili, L. S. Kalandadze, I. G.
author_sort	Pagava, T. A.
title	Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
title_short	Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
title_full	Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
title_fullStr	Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
title_full_unstemmed	Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
title_sort	исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-si с помощью холловских измерений
title_alt	Hall-Effect Study of Disordered Regions in Proton-Irradiated n-Si Crystals
description	The nature and dimensions of disordered regions emerged in n-Si single crystals irradiated with high-energy (25 MeV) protons have been studied by carrying out Hall measurements of their electrophysical parameters. Specimens fabricated with the use of the zone-melting technique and doped with phosphorus to a concentration of 6x10^13 cm^-3 are investigated. Irradiation was carried out at room temperature to exposure doses of (1.8–8.1)x10^12 cm^-2. Depending on the irradiation dose and the temperature of isochronous annealing, some specimens irradiated with high-energy protons revealed a drastic increase of the effective Hall mobility мeff, which is explained by the emergence of “metallic” inclusions in them, i.e. regions with the conductivity considerably higher in comparison with that of the semiconductor matrix. The radius of those regions was estimated to be Rm < 80 nm. An assumption was made that the “metallic” inclusions are nano-sized atomic clusters.
publisher	Publishing house "Academperiodika"
publishDate	2018
url	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018350
work_keys_str_mv	AT pagavata halleffectstudyofdisorderedregionsinprotonirradiatednsicrystals AT beridzemg halleffectstudyofdisorderedregionsinprotonirradiatednsicrystals AT maisuradzeni halleffectstudyofdisorderedregionsinprotonirradiatednsicrystals AT chkhartishvilils halleffectstudyofdisorderedregionsinprotonirradiatednsicrystals AT kalandadzeig halleffectstudyofdisorderedregionsinprotonirradiatednsicrystals AT pagavata issledovanierazuporâdočennyhoblastejvoblučennyhprotonamikristallahnsispomoŝʹûhollovskihizmerenij AT beridzemg issledovanierazuporâdočennyhoblastejvoblučennyhprotonamikristallahnsispomoŝʹûhollovskihizmerenij AT maisuradzeni issledovanierazuporâdočennyhoblastejvoblučennyhprotonamikristallahnsispomoŝʹûhollovskihizmerenij AT chkhartishvilils issledovanierazuporâdočennyhoblastejvoblučennyhprotonamikristallahnsispomoŝʹûhollovskihizmerenij AT kalandadzeig issledovanierazuporâdočennyhoblastejvoblučennyhprotonamikristallahnsispomoŝʹûhollovskihizmerenij
first_indexed	2025-10-02T01:14:28Z
last_indexed	2025-10-02T01:14:28Z
_version_	1851765073636229121

Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений

Institution

Similar Items