Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
The nature and dimensions of disordered regions emerged in n-Si single crystals irradiated with high-energy (25 MeV) protons have been studied by carrying out Hall measurements of their electrophysical parameters. Specimens fabricated with the use of the zone-melting technique and doped with phospho...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська Українська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018350 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si
за авторством: Pagava, T. A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Pagava, T. A., та інші
Опубліковано: (2019)
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013)
Компьютерное моделирование проводимости композитов с хаотической структурой
за авторством: Novikov, V. V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Novikov, V. V., та інші
Опубліковано: (2006)
Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2007)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Kulinich, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kulinich, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Подвижность дислокаций в кристаллах LiF, облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Малик, А.К., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Малик, А.К., та інші
Опубліковано: (2003)
Изучение динамических и структурных характеристик в облученных кристаллах LiF
за авторством: Петченко, Г.А.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Петченко, Г.А.
Опубліковано: (2013)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013)
Новый мазерный источник в окрестности DR 21(OH)
за авторством: Полушкин, С.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Полушкин, С.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Метанольные мазеры I класса в областях образования звезд малой массы
за авторством: Каленский, С.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каленский, С.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Формирование астрономических объектов и Н₂О мазерное излучение
за авторством: Матвеенко, Л.И.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Матвеенко, Л.И.
Опубліковано: (2009)
Планетарні туманності
за авторством: Головатий, В.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Головатий, В.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
за авторством: Dzhafarov, T. D., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dzhafarov, T. D., та інші
Опубліковано: (2012)
Пределы управляемости диэлектрической неоднородности, расположенной между металлическими плоскостями
за авторством: Prokopenko, Yu. V.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Prokopenko, Yu. V.
Опубліковано: (2012)
Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)
Роль пластической деформации в получении нанокремния
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов
за авторством: Медведева, И.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Медведева, И.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
Зарядовое упорядочение и межслойная фазовая когерентность в квантовых холловских сверхрешетках
за авторством: Шевченко, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Шевченко, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика
за авторством: Белоголовский, М.А.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Белоголовский, М.А.
Опубліковано: (2014)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Turtsevich, A. S.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Turtsevich, A. S.
Опубліковано: (2008)
Аналитическое представление сечений ионизации К-оболочек лантаноидов ускоренными протонами
за авторством: Левенец, В.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Левенец, В.В., та інші
Опубліковано: (2012)
ОЦЕНКА ПРОПУСКНОЙ СПОСОБНОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО КАНАЛА ПО ПОКАЗАТЕЛЯМ МГНОВЕННОЙ МОЩНОСТИ В ЗАДАЧАХ ЭЛЕКТРОМЕХАНИКИ
за авторством: Загирняк , М.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Загирняк , М.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)
Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
за авторством: Ushenin, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ushenin, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)
МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАЗВИТИЯ ПРОЦЕССОВ НА КАТОДЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
за авторством: Милых, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Милых, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)
Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Khoverko, Yu. N.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Khoverko, Yu. N.
Опубліковано: (2010)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2008)
Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами
за авторством: Pagava, T.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Pagava, T.A., та інші
Опубліковано: (2012)