Buchumschlag

Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений

The nature and dimensions of disordered regions emerged in n-Si single crystals irradiated with high-energy (25 MeV) protons have been studied by carrying out Hall measurements of their electrophysical parameters. Specimens fabricated with the use of the zone-melting technique and doped with phospho...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2018
Hauptverfasser:	Pagava, T. A., Beridze, M. G., Maisuradze, N. I., Chkhartishvili, L. S., Kalandadze, I. G.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch Ukrainisch
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2018
Schlagworte:	разупорядоченные области протонное облучение эффективная холловская подвижность кремний
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018350
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge

Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si
von: Pagava, T. A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Компьютерное моделирование проводимости композитов с хаотической структурой
von: Novikov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Подвижность дислокаций в кристаллах LiF, облученных высокоэнергетическими электронами
von: Малик, А.К., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Изучение динамических и структурных характеристик в облученных кристаллах LiF
von: Петченко, Г.А.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Новый мазерный источник в окрестности DR 21(OH)
von: Полушкин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Метанольные мазеры I класса в областях образования звезд малой массы
von: Каленский, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формирование астрономических объектов и Н₂О мазерное излучение
von: Матвеенко, Л.И.
Veröffentlicht: (2009)

Планетарні туманності
von: Головатий, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
von: Dzhafarov, T. D., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Пределы управляемости диэлектрической неоднородности, расположенной между металлическими плоскостями
von: Prokopenko, Yu. V.
Veröffentlicht: (2012)

Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов
von: Медведева, И.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Зарядовое упорядочение и межслойная фазовая когерентность в квантовых холловских сверхрешетках
von: Шевченко, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика
von: Белоголовский, М.А.
Veröffentlicht: (2014)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)

Аналитическое представление сечений ионизации К-оболочек лантаноидов ускоренными протонами
von: Левенец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

ОЦЕНКА ПРОПУСКНОЙ СПОСОБНОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО КАНАЛА ПО ПОКАЗАТЕЛЯМ МГНОВЕННОЙ МОЩНОСТИ В ЗАДАЧАХ ЭЛЕКТРОМЕХАНИКИ
von: Загирняк , М.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
von: Ushenin, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАЗВИТИЯ ПРОЦЕССОВ НА КАТОДЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2016)

Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
von: Khoverko, Yu. N.
Veröffentlicht: (2010)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Gorban, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами
von: Pagava, T.A., et al.
Veröffentlicht: (2012)