Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
The nature and dimensions of disordered regions emerged in n-Si single crystals irradiated with high-energy (25 MeV) protons have been studied by carrying out Hall measurements of their electrophysical parameters. Specimens fabricated with the use of the zone-melting technique and doped with phospho...
Saved in:
| Date: | 2018 |
|---|---|
| Main Authors: | Pagava, T. A., Beridze, M. G., Maisuradze, N. I., Chkhartishvili, L. S., Kalandadze, I. G. |
| Format: | Article |
| Language: | English Ukrainian |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018350 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsSimilar Items
Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si
by: Pagava, T. A., et al.
Published: (2019)
by: Pagava, T. A., et al.
Published: (2019)
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2010)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2010)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2011)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2011)
Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
by: T. A. Pagava, et al.
Published: (2013)
by: T. A. Pagava, et al.
Published: (2013)
Компьютерное моделирование проводимости композитов с хаотической структурой
by: Novikov, V. V., et al.
Published: (2006)
by: Novikov, V. V., et al.
Published: (2006)
Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
by: Butenko, V. K., et al.
Published: (2007)
by: Butenko, V. K., et al.
Published: (2007)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
by: Kulinich, O. A., et al.
Published: (2008)
by: Kulinich, O. A., et al.
Published: (2008)
Подвижность дислокаций в кристаллах LiF, облученных высокоэнергетическими электронами
by: Малик, А.К., et al.
Published: (2003)
by: Малик, А.К., et al.
Published: (2003)
Изучение динамических и структурных характеристик в облученных кристаллах LiF
by: Петченко, Г.А.
Published: (2013)
by: Петченко, Г.А.
Published: (2013)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
by: T. A. Pagava, et al.
Published: (2013)
by: T. A. Pagava, et al.
Published: (2013)
Новый мазерный источник в окрестности DR 21(OH)
by: Полушкин, С.В., et al.
Published: (2009)
by: Полушкин, С.В., et al.
Published: (2009)
Метанольные мазеры I класса в областях образования звезд малой массы
by: Каленский, С.В., et al.
Published: (2009)
by: Каленский, С.В., et al.
Published: (2009)
Формирование астрономических объектов и Н₂О мазерное излучение
by: Матвеенко, Л.И.
Published: (2009)
by: Матвеенко, Л.И.
Published: (2009)
Планетарні туманності
by: Головатий, В.В., et al.
Published: (2009)
by: Головатий, В.В., et al.
Published: (2009)
Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
by: Dzhafarov, T. D., et al.
Published: (2012)
by: Dzhafarov, T. D., et al.
Published: (2012)
Пределы управляемости диэлектрической неоднородности, расположенной между металлическими плоскостями
by: Prokopenko, Yu. V.
Published: (2012)
by: Prokopenko, Yu. V.
Published: (2012)
Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
by: T. A. Pagava, et al.
Published: (2015)
by: T. A. Pagava, et al.
Published: (2015)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
by: Popov, V. M., et al.
Published: (2009)
by: Popov, V. M., et al.
Published: (2009)
Роль пластической деформации в получении нанокремния
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)
Образование и отжиг метастабильного водородосодержащего центра в облученных кристаллах Cz-Si: влияние различных факторов
by: Медведева, И.Ф., et al.
Published: (2001)
by: Медведева, И.Ф., et al.
Published: (2001)
Зарядовое упорядочение и межслойная фазовая когерентность в квантовых холловских сверхрешетках
by: Шевченко, С.И., et al.
Published: (2004)
by: Шевченко, С.И., et al.
Published: (2004)
Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика
by: Белоголовский, М.А.
Published: (2014)
by: Белоголовский, М.А.
Published: (2014)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
by: Iatsunskyi, I. R.
Published: (2013)
by: Iatsunskyi, I. R.
Published: (2013)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
by: Novosyadlyi, S. P., et al.
Published: (2009)
by: Novosyadlyi, S. P., et al.
Published: (2009)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
by: Turtsevich, A. S.
Published: (2008)
by: Turtsevich, A. S.
Published: (2008)
Аналитическое представление сечений ионизации К-оболочек лантаноидов ускоренными протонами
by: Левенец, В.В., et al.
Published: (2012)
by: Левенец, В.В., et al.
Published: (2012)
ОЦЕНКА ПРОПУСКНОЙ СПОСОБНОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО КАНАЛА ПО ПОКАЗАТЕЛЯМ МГНОВЕННОЙ МОЩНОСТИ В ЗАДАЧАХ ЭЛЕКТРОМЕХАНИКИ
by: Загирняк , М.В., et al.
Published: (2012)
by: Загирняк , М.В., et al.
Published: (2012)
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
by: T. A. Pagava, et al.
Published: (2012)
by: T. A. Pagava, et al.
Published: (2012)
Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
by: Ushenin, Yu. V., et al.
Published: (2011)
by: Ushenin, Yu. V., et al.
Published: (2011)
МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАЗВИТИЯ ПРОЦЕССОВ НА КАТОДЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
by: Милых, В.И., et al.
Published: (2013)
by: Милых, В.И., et al.
Published: (2013)
Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
by: Kondrik, A. I.
Published: (2016)
by: Kondrik, A. I.
Published: (2016)
Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
by: Khoverko, Yu. N.
Published: (2010)
by: Khoverko, Yu. N.
Published: (2010)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
by: Gorban, A. N., et al.
Published: (2008)
by: Gorban, A. N., et al.
Published: (2008)
Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2013)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2013)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2013)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2013)
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
by: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Published: (2009)
by: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Published: (2009)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2012)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2012)
Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами
by: Pagava, T.A., et al.
Published: (2012)
by: Pagava, T.A., et al.
Published: (2012)
Similar Items
-
Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si
by: Pagava, T. A., et al.
Published: (2019) -
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2010) -
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2011) -
Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
by: T. A. Pagava, et al.
Published: (2013) -
Компьютерное моделирование проводимости композитов с хаотической структурой
by: Novikov, V. V., et al.
Published: (2006)