Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза
A comparative study of the defect formation and changes in the lifetime of nonequilibrium minority charge carriers in silicon while gettering the iron impurity with the use of a combined getter “porous silicon layer + aluminum film” is carried out. It is shown that, while annealing specimens with no...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018365 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |