Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза

• Дата: 2018
• Автори: Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Теми: кремнiй; гетерування; залiзо; дефекти; час життя; рентгенiвська дифрактометрiя; мас-спектрометрiя; silicon; gettering; iron; defects; lifetime; X-ray diffraction; mass spectrometry
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018365
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

A comparative study of the defect formation and changes in the lifetime of nonequilibrium minority charge carriers in silicon while gettering the iron impurity with the use of a combined getter “porous silicon layer + aluminum film” is carried out. It is shown that, while annealing specimens with no...