Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення

The influence of a microwave treatment (MWT) on the optical properties of hexagonal GaN films has been studied. To estimate the internal mechanical strains and the degree of structural perfection in a thin near-surface layer of the film, the electroreflectance (ER) method is used. The ER spectra are...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	Belyaev, A. E., Klyui, N. I., Konakova, R. V., Luk’yanov, A. M., Sveshnikov, Yu. M., Klyui, A. M.
Формат:	Стаття
Мова:	English Ukrainian
Опубліковано:	Publishing house "Academperiodika" 2018
Теми:	нiтрид галiю епiтаксiйна плiвка електровiдбивання мiкрохвильова обробка параметр уширення внутрiшня деформацiя gallium nitride epitaxial film electroreflectance microwave treatment broadening parameter internal strain
Онлайн доступ:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018409
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics

id	ujp2-article-2018409
record_format	ojs
spelling	ujp2-article-20184092019-03-29T08:21:42Z Optical Properties of Irradiated Epitaxial Gan Films Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення Belyaev, A. E. Klyui, N. I. Konakova, R. V. Luk’yanov, A. M. Sveshnikov, Yu. M. Klyui, A. M. нiтрид галiю епiтаксiйна плiвка електровiдбивання мiкрохвильова обробка параметр уширення внутрiшня деформацiя gallium nitride epitaxial film electroreflectance microwave treatment broadening parameter internal strain The influence of a microwave treatment (MWT) on the optical properties of hexagonal GaN films has been studied. To estimate the internal mechanical strains and the degree of structural perfection in a thin near-surface layer of the film, the electroreflectance (ER) method is used. The ER spectra are measured in the interval of the first direct interband transitions. It has been shown that the MWT results in the relaxation of internal mechanical strains in the irradiated films. In addition, the structural perfection in the thin near-surface layer of the irradiated film became higher. A mechanism that includes resonance effects and the local heating of the film defect regions is proposed to explain the effects observed. Дослiджено вплив мiкрохвильових обробок (МХО) на оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN гексагональної модифiкацiї. Для дiагностики рiвня внутрiшнiх механiчних напружень i структурної досконалостi тонкого приповерхневого шару плiвки використовувався метод електровiдбивання (ЕВ). Спектри ЕВ вимiрювалися в областi локалiзацiї перших прямих зона-зонних переходiв. Показано, що внаслiдок МХО в опромiнених плiвках спостерiгається релаксацiя внутрiшнiх механiчних напружень i полiпшення структурної досконалостi приповерхневого шару. Запропоновано механiзм виявлених ефектiв, що враховує резонанснi ефекти i локальний розiгрiв дефектних областей плiвки. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-16 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018409 10.15407/ujpe59.01.0034 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 1 (2014); 34 Український фізичний журнал; Том 59 № 1 (2014); 34 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe59.01 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018409/401 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018409/402 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution	Ukrainian Journal of Physics
collection	OJS
language	English Ukrainian
topic	нiтрид галiю епiтаксiйна плiвка електровiдбивання мiкрохвильова обробка параметр уширення внутрiшня деформацiя gallium nitride epitaxial film electroreflectance microwave treatment broadening parameter internal strain
spellingShingle	нiтрид галiю епiтаксiйна плiвка електровiдбивання мiкрохвильова обробка параметр уширення внутрiшня деформацiя gallium nitride epitaxial film electroreflectance microwave treatment broadening parameter internal strain Belyaev, A. E. Klyui, N. I. Konakova, R. V. Luk’yanov, A. M. Sveshnikov, Yu. M. Klyui, A. M. Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення
topic_facet	нiтрид галiю епiтаксiйна плiвка електровiдбивання мiкрохвильова обробка параметр уширення внутрiшня деформацiя gallium nitride epitaxial film electroreflectance microwave treatment broadening parameter internal strain
format	Article
author	Belyaev, A. E. Klyui, N. I. Konakova, R. V. Luk’yanov, A. M. Sveshnikov, Yu. M. Klyui, A. M.
author_facet	Belyaev, A. E. Klyui, N. I. Konakova, R. V. Luk’yanov, A. M. Sveshnikov, Yu. M. Klyui, A. M.
author_sort	Belyaev, A. E.
title	Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення
title_short	Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення
title_full	Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення
title_fullStr	Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення
title_full_unstemmed	Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення
title_sort	оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок gan, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення
title_alt	Optical Properties of Irradiated Epitaxial Gan Films
description	The influence of a microwave treatment (MWT) on the optical properties of hexagonal GaN films has been studied. To estimate the internal mechanical strains and the degree of structural perfection in a thin near-surface layer of the film, the electroreflectance (ER) method is used. The ER spectra are measured in the interval of the first direct interband transitions. It has been shown that the MWT results in the relaxation of internal mechanical strains in the irradiated films. In addition, the structural perfection in the thin near-surface layer of the irradiated film became higher. A mechanism that includes resonance effects and the local heating of the film defect regions is proposed to explain the effects observed.
publisher	Publishing house "Academperiodika"
publishDate	2018
url	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018409
work_keys_str_mv	AT belyaevae opticalpropertiesofirradiatedepitaxialganfilms AT klyuini opticalpropertiesofirradiatedepitaxialganfilms AT konakovarv opticalpropertiesofirradiatedepitaxialganfilms AT lukyanovam opticalpropertiesofirradiatedepitaxialganfilms AT sveshnikovyum opticalpropertiesofirradiatedepitaxialganfilms AT klyuiam opticalpropertiesofirradiatedepitaxialganfilms AT belyaevae optičnivlastivostiepitaksijnihplivokganŝoperebuvalipiddiêûmikrohvilʹovogooprominennâ AT klyuini optičnivlastivostiepitaksijnihplivokganŝoperebuvalipiddiêûmikrohvilʹovogooprominennâ AT konakovarv optičnivlastivostiepitaksijnihplivokganŝoperebuvalipiddiêûmikrohvilʹovogooprominennâ AT lukyanovam optičnivlastivostiepitaksijnihplivokganŝoperebuvalipiddiêûmikrohvilʹovogooprominennâ AT sveshnikovyum optičnivlastivostiepitaksijnihplivokganŝoperebuvalipiddiêûmikrohvilʹovogooprominennâ AT klyuiam optičnivlastivostiepitaksijnihplivokganŝoperebuvalipiddiêûmikrohvilʹovogooprominennâ
first_indexed	2023-03-24T08:55:40Z
last_indexed	2023-03-24T08:55:40Z
_version_	1795757618165186560

Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення

Репозитарії

Схожі ресурси