Рiст вiсмуту на Ge(111): еволюцiя морфологiї вiд нанокристалiв до плiвок
The growth of ultra-thin bismuth films up to 15 atomic layers on the atomically clean Ge(111)-c(2×8) substrate at 300 K is investigated before and after the annealing at 450 K by means of ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy. The whole range of morphologies is observed for the Bi adsorbat...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018514 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |