Вплив обмежених поляризацiйних фононiв на електронний спектр трибар’єрної активної зони квантового каскадного детектора
The Hamiltonian of an electron-phonon system in the second-quantization representation for all variables has been obtained. The models of effective mass and rectangular potentials for electrons and the polarization continuum model for confined phonons in a three-barrier resonant tunneling nanostruct...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | Tkach, M. V., Seti, Ju. O., Grynyshyn, Ju. B. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018564 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Роль iнтерфейсних фононiв у функцiонуваннi безiнжекторного квантового каскадного лазера
за авторством: Seti, Ju. O., та інші
Опубліковано: (2019) -
Теорiя властивостей резонансно-тунельних наноструктур, як активних елементiв квантових каскадних лазерiв i детекторiв
за авторством: Tkach, M. V., та інші
Опубліковано: (2018) -
Внесок двофотонних електронних переходiв у формування активної динамiчної провiдностi трибар’єрних резонансно-тунельних структур iз постiйним електричним полем
за авторством: Boyko, I. V.
Опубліковано: (2019) -
Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури
за авторством: Kondryuk, D. V., та інші
Опубліковано: (2019) -
Частоти довгохвильових фонон-поляритонiв та оптичних фононiв у двоатомних iонних кристалах
за авторством: Stupka, A. A.
Опубліковано: (2018)