Вплив домiшок з глибокими рiвнями на тензоелектричнi властивостi монокристалiчного кремнiю

The piezoresistance effect has been investigated in compensated and thermally treated samples of Si : Zn and Si : Zn, Mn under a uniaxial elastic compression. This effect is shown to be caused by changes in the concentration and mobility of current carriers. The anomalous change in the carrier mobil...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Publishing house "Academperiodika"
Дата:2018
Автори: Zainabidinov, S., Mamatkarimov, O. O., Khimmatkulov, O., Tursunov, I. G.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018609
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Репозиторії

Ukrainian Journal of Physics