Вплив домiшок з глибокими рiвнями на тензоелектричнi властивостi монокристалiчного кремнiю
The piezoresistance effect has been investigated in compensated and thermally treated samples of Si : Zn and Si : Zn, Mn under a uniaxial elastic compression. This effect is shown to be caused by changes in the concentration and mobility of current carriers. The anomalous change in the carrier mobil...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018609 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозиторії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018609 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20186092019-05-01T08:43:41Z Influence of Deep-Level Impurities on the Strain Electric Properties of Monocrystalline Silicon Вплив домiшок з глибокими рiвнями на тензоелектричнi властивостi монокристалiчного кремнiю Zainabidinov, S. Mamatkarimov, O. O. Khimmatkulov, O. Tursunov, I. G. deformation impurities strain resistance elastic compression - The piezoresistance effect has been investigated in compensated and thermally treated samples of Si : Zn and Si : Zn, Mn under a uniaxial elastic compression. This effect is shown to be caused by changes in the concentration and mobility of current carriers. The anomalous change in the carrier mobility under the compression along crystallographic axis [111] is connected with a change in their scattering on large-scale defect formations. Ефект п’єзорезистентностi дослiджено в компенсованих та термiчно оброблених зразках Si : Zn i Si : Zn, Mn при одновiсному пружному стискуваннi. Показано, що цей ефект зумовлений змiнами концентрацiї та рухливостi носiїв струму. Аномальнi змiни рухливостi носiїв при стиску навколо кристалографiчної осi [111] пов’язанi зi змiною їх розсiювання на великомасштабних утвореннях дефектiв. Publishing house "Academperiodika" 2018-12-12 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018609 10.15407/ujpe62.11.0957 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 62 No. 11 (2017); 957 Український фізичний журнал; Том 62 № 11 (2017); 957 2071-0194 2071-0186 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018609/696 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
deformation impurities strain resistance elastic compression - |
| spellingShingle |
deformation impurities strain resistance elastic compression - Zainabidinov, S. Mamatkarimov, O. O. Khimmatkulov, O. Tursunov, I. G. Вплив домiшок з глибокими рiвнями на тензоелектричнi властивостi монокристалiчного кремнiю |
| topic_facet |
deformation impurities strain resistance elastic compression - |
| format |
Article |
| author |
Zainabidinov, S. Mamatkarimov, O. O. Khimmatkulov, O. Tursunov, I. G. |
| author_facet |
Zainabidinov, S. Mamatkarimov, O. O. Khimmatkulov, O. Tursunov, I. G. |
| author_sort |
Zainabidinov, S. |
| title |
Вплив домiшок з глибокими рiвнями на тензоелектричнi властивостi монокристалiчного кремнiю |
| title_short |
Вплив домiшок з глибокими рiвнями на тензоелектричнi властивостi монокристалiчного кремнiю |
| title_full |
Вплив домiшок з глибокими рiвнями на тензоелектричнi властивостi монокристалiчного кремнiю |
| title_fullStr |
Вплив домiшок з глибокими рiвнями на тензоелектричнi властивостi монокристалiчного кремнiю |
| title_full_unstemmed |
Вплив домiшок з глибокими рiвнями на тензоелектричнi властивостi монокристалiчного кремнiю |
| title_sort |
вплив домiшок з глибокими рiвнями на тензоелектричнi властивостi монокристалiчного кремнiю |
| title_alt |
Influence of Deep-Level Impurities on the Strain Electric Properties of Monocrystalline Silicon |
| description |
The piezoresistance effect has been investigated in compensated and thermally treated samples of Si : Zn and Si : Zn, Mn under a uniaxial elastic compression. This effect is shown to be caused by changes in the concentration and mobility of current carriers. The anomalous change in the carrier mobility under the compression along crystallographic axis [111] is connected with a change in their scattering on large-scale defect formations. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018609 |
| work_keys_str_mv |
AT zainabidinovs influenceofdeeplevelimpuritiesonthestrainelectricpropertiesofmonocrystallinesilicon AT mamatkarimovoo influenceofdeeplevelimpuritiesonthestrainelectricpropertiesofmonocrystallinesilicon AT khimmatkulovo influenceofdeeplevelimpuritiesonthestrainelectricpropertiesofmonocrystallinesilicon AT tursunovig influenceofdeeplevelimpuritiesonthestrainelectricpropertiesofmonocrystallinesilicon AT zainabidinovs vplivdomišokzglibokimirivnâminatenzoelektričnivlastivostimonokristaličnogokremniû AT mamatkarimovoo vplivdomišokzglibokimirivnâminatenzoelektričnivlastivostimonokristaličnogokremniû AT khimmatkulovo vplivdomišokzglibokimirivnâminatenzoelektričnivlastivostimonokristaličnogokremniû AT tursunovig vplivdomišokzglibokimirivnâminatenzoelektričnivlastivostimonokristaličnogokremniû |
| first_indexed |
2023-03-24T08:56:19Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:56:19Z |
| _version_ |
1795757637120294912 |