Вплив домiшок з глибокими рiвнями на тензоелектричнi властивостi монокристалiчного кремнiю
The piezoresistance effect has been investigated in compensated and thermally treated samples of Si : Zn and Si : Zn, Mn under a uniaxial elastic compression. This effect is shown to be caused by changes in the concentration and mobility of current carriers. The anomalous change in the carrier mobil...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018609 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |