Вплив домiшок з глибокими рiвнями на тензоелектричнi властивостi монокристалiчного кремнiю
The piezoresistance effect has been investigated in compensated and thermally treated samples of Si : Zn and Si : Zn, Mn under a uniaxial elastic compression. This effect is shown to be caused by changes in the concentration and mobility of current carriers. The anomalous change in the carrier mobil...
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018609 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозиторії
Ukrainian Journal of PhysicsБудьте першим, хто залишить коментар!