Buchumschlag

Процеси перенесення заряду в системi сплавiв (SnS)1−x(PrS)x

Interactions in the SnS–PrS alloy system have been studied. On the basis of the results of complex physicochemical analysis, the interval of PrS solubility in SnS is determined. The microrelief of the surface of PrxSn1−xS single crystals is analyzed using a scanning probe microscope operating in the...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2018
Hauptverfasser:	Abbasov, I. I., Huseynov, J. I.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2018
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018622
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge

Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
von: I. I. Abbasov, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
von: I. I. Abbasov, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
von: Olikh, O. Ya.
Veröffentlicht: (2018)

Перенесення заряду в полікристалічних плівках Pd нанометрової товщини
von: Бігун, Р.І., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Оптимізація складу та термообробки литих біосумісних сплавiв Ti−18Nb−xSi
von: Шевченко, О.М., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
von: J. I. Huseynov, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
von: J. I. Huseynov, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Компенсуюча дія домішки тербію на провідність твердих розчинів TbxSn1 – xSe
von: Huseynov, J. I., et al.
Veröffentlicht: (2020)

ВІМС дослiдження поверхнi сплавiв на основi лантану
von: Litvinov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Импеданс полупроводниковых клатратов Sn₂₄P₁₉,₃BrxI₈₋x
von: Якимчук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Effect of doping level and compensation on thermal conductivity in CexSn1–xSe solid solutions
von: Sh. S. Ismailov, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Electrical properties of n-SnS₂/n-CdIn₂Te₄ heterostructure
von: Gorley, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Вплив підшарів ґерманію на перенесення заряду в плівках хрому нанометрової товщини
von: Бігун, Р.І., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Вплив неоднорідностей поверхні на умови перенесення заряду в ультратонких плівках металів
von: Бігун, Р.І., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Вплив поверхні на перенесення заряду в тонких металевих плівках на основі неперехідних металів
von: Bigun, R. I., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Перехід від квантового до класичного перенесення заряду в плівках золота нанометрової товщини
von: Бучковська, М.Д., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Квазикласичне та квантове перенесення заряду в полікристалічних плівках α-Mn нанометрової товщини
von: Бігун, Р.І., et al.
Veröffentlicht: (2015)

I¹²⁷ NQR spectra of Pb₁₋ₓCdₓI₂ and (BiI₃)₍₁₋ₓ₎(PbI₂)ₓ of mixed layered semiconductors
von: Vertegel, I.G., et al.
Veröffentlicht: (2017)

I127 NQR spectra of Pb1–xCdxI2 and (BiI3)(1–x)(PbI2)x of mixed layered semiconductors
von: I. G. Vertegel, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Electrical properties of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterostructure
von: P. M. Gorley, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Concentration dependence of the electrical conductivity and the Hall effect of CexSn1–xSe monocrystals
von: I. I. Abbasov, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Symmetry peculiarities of the intracrystalline fields layered semiconductor crystals (PbI₂)₍₁₋ₓ₎(BiI₃)ₓ
von: Barabash, O.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Випромiнювання точкового заряду та принцип еквiвалентностi
von: Ломпей, Р.Р., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
von: Katerinchuk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
von: Sachenko, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1)
von: V. N. Katerinchuk, et al.
Veröffentlicht: (2006)

Поляризацiйнi залежностi терагерцового випромiнювання гарячими носiями заряду в p-Te
von: Tomchuk, P. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Investigations on temperature dependences of parameters of ¹²⁷I NQR spectrum of (BiI₃)(₁₋ₓ)(PbI₂)ₓ mixed layered semiconductor and alkaline halogens crystals
von: Vertegel, I.G., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb
von: Freik, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Оптичнi властивостi i структура нанокомпозитiв (Co41Fe39B20)x(SiO2)1−x
von: Staschuk, V. S., et al.
Veröffentlicht: (2018)

The bibliographical index to Volumes I–X
von: V. Stanislavskyi
Veröffentlicht: (2010)

Взаємодiя оптичних коливань з пастками заряду i спектри термолюмiнесценцiї полiмерiв
von: Sugakov, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Перенос похибок та середнiх вимiрiв фiзичної величини для елементарних функцiй x2 та √x
von: Rode, G. G.
Veröffentlicht: (2018)

Релаксаційні процеси в квантовому дроті з параболічним утриманням
von: Hasanov, Kh. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Exciton absorption spectrum of thin (KI)₁₋x(PbI₂)x films
von: Yunakova, O.N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Density and surface tension of Sn1–xBix melts
von: R. Bilyk, et al.
Veröffentlicht: (2020)