Cover Image

Процеси перенесення заряду в системi сплавiв (SnS)1−x(PrS)x

Interactions in the SnS–PrS alloy system have been studied. On the basis of the results of complex physicochemical analysis, the interval of PrS solubility in SnS is determined. The microrelief of the surface of PrxSn1−xS single crystals is analyzed using a scanning probe microscope operating in the...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2018
Main Authors:	Abbasov, I. I., Huseynov, J. I.
Format:	Article
Language:	English
Published:	Publishing house "Academperiodika" 2018
Online Access:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018622
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Similar Items

Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
by: I. I. Abbasov, et al.
Published: (2017)

Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
by: I. I. Abbasov, et al.
Published: (2017)

Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
by: Малаховська, Т.О., et al.
Published: (2009)

Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
by: Olikh, O. Ya.
Published: (2018)

Перенесення заряду в полікристалічних плівках Pd нанометрової товщини
by: Бігун, Р.І., et al.
Published: (2016)

Оптимізація складу та термообробки литих біосумісних сплавiв Ti−18Nb−xSi
by: Шевченко, О.М., et al.
Published: (2016)

Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
by: J. I. Huseynov, et al.
Published: (2020)

Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
by: J. I. Huseynov, et al.
Published: (2020)

Компенсуюча дія домішки тербію на провідність твердих розчинів TbxSn1 – xSe
by: Huseynov, J. I., et al.
Published: (2020)

ВІМС дослiдження поверхнi сплавiв на основi лантану
by: Litvinov, V. A., et al.
Published: (2018)

Effect of doping level and compensation on thermal conductivity in CexSn1–xSe solid solutions
by: Sh. S. Ismailov, et al.
Published: (2020)

Импеданс полупроводниковых клатратов Sn₂₄P₁₉,₃BrxI₈₋x
by: Якимчук, А.В., et al.
Published: (2007)

Electrical properties of n-SnS₂/n-CdIn₂Te₄ heterostructure
by: Gorley, P.M., et al.
Published: (2010)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
by: Катеринчук, В.Н., et al.
Published: (2007)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
by: Katerynchuk, V. M., et al.
Published: (2007)

Вплив підшарів ґерманію на перенесення заряду в плівках хрому нанометрової товщини
by: Бігун, Р.І., et al.
Published: (2016)

Вплив неоднорідностей поверхні на умови перенесення заряду в ультратонких плівках металів
by: Бігун, Р.І., et al.
Published: (2014)

Вплив поверхні на перенесення заряду в тонких металевих плівках на основі неперехідних металів
by: Bigun, R. I., et al.
Published: (2010)

Перехід від квантового до класичного перенесення заряду в плівках золота нанометрової товщини
by: Бучковська, М.Д., et al.
Published: (2013)

Квазикласичне та квантове перенесення заряду в полікристалічних плівках α-Mn нанометрової товщини
by: Бігун, Р.І., et al.
Published: (2015)

Electrical properties of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterostructure
by: P. M. Gorley, et al.
Published: (2010)

I¹²⁷ NQR spectra of Pb₁₋ₓCdₓI₂ and (BiI₃)₍₁₋ₓ₎(PbI₂)ₓ of mixed layered semiconductors
by: Vertegel, I.G., et al.
Published: (2017)

I127 NQR spectra of Pb1–xCdxI2 and (BiI3)(1–x)(PbI2)x of mixed layered semiconductors
by: I. G. Vertegel, et al.
Published: (2017)

Concentration dependence of the electrical conductivity and the Hall effect of CexSn1–xSe monocrystals
by: I. I. Abbasov, et al.
Published: (2019)

Symmetry peculiarities of the intracrystalline fields layered semiconductor crystals (PbI₂)₍₁₋ₓ₎(BiI₃)ₓ
by: Barabash, O.I., et al.
Published: (2012)

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
by: Katerinchuk, V. N., et al.
Published: (2006)

Випромiнювання точкового заряду та принцип еквiвалентностi
by: Ломпей, Р.Р., et al.
Published: (2007)

Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2013)

Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1)
by: V. N. Katerinchuk, et al.
Published: (2006)

Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
by: Sachenko, A. V., et al.
Published: (2019)

Investigations on temperature dependences of parameters of ¹²⁷I NQR spectrum of (BiI₃)(₁₋ₓ)(PbI₂)ₓ mixed layered semiconductor and alkaline halogens crystals
by: Vertegel, I.G., et al.
Published: (2017)

Оптичнi властивостi i структура нанокомпозитiв (Co41Fe39B20)x(SiO2)1−x
by: Staschuk, V. S., et al.
Published: (2018)

The bibliographical index to Volumes I–X
by: V. Stanislavskyi
Published: (2010)

Поляризацiйнi залежностi терагерцового випромiнювання гарячими носiями заряду в p-Te
by: Tomchuk, P. M., et al.
Published: (2018)

Релаксаційні процеси в квантовому дроті з параболічним утриманням
by: Hasanov, Kh. A., et al.
Published: (2018)

Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb
by: Freik, D. M., et al.
Published: (2018)

Physico-chemical analysis and thermoelectric properties of (SnSe)1-x(ErSe)x system alloys
by: E. M. Godzhayev, et al.
Published: (2014)

Density and surface tension of Sn1–xBix melts
by: R. Bilyk, et al.
Published: (2020)

Density and surface tension of Sn1–xBix melts
by: R. Bilyk, et al.
Published: (2020)

X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals
by: Grigas, J., et al.
Published: (2008)