Процеси перенесення заряду в системi сплавiв (SnS)1−x(PrS)x
Interactions in the SnS–PrS alloy system have been studied. On the basis of the results of complex physicochemical analysis, the interval of PrS solubility in SnS is determined. The microrelief of the surface of PrxSn1−xS single crystals is analyzed using a scanning probe microscope operating in the...
Saved in:
| Date: | 2018 |
|---|---|
| Main Authors: | Abbasov, I. I., Huseynov, J. I. |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018622 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsSimilar Items
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
by: I. I. Abbasov, et al.
Published: (2017)
by: I. I. Abbasov, et al.
Published: (2017)
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
by: I. I. Abbasov, et al.
Published: (2017)
by: I. I. Abbasov, et al.
Published: (2017)
Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
by: Малаховська, Т.О., et al.
Published: (2009)
by: Малаховська, Т.О., et al.
Published: (2009)
Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
by: Olikh, O. Ya.
Published: (2018)
by: Olikh, O. Ya.
Published: (2018)
Перенесення заряду в полікристалічних плівках Pd нанометрової товщини
by: Бігун, Р.І., et al.
Published: (2016)
by: Бігун, Р.І., et al.
Published: (2016)
Оптимізація складу та термообробки литих біосумісних сплавiв Ti−18Nb−xSi
by: Шевченко, О.М., et al.
Published: (2016)
by: Шевченко, О.М., et al.
Published: (2016)
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
by: J. I. Huseynov, et al.
Published: (2020)
by: J. I. Huseynov, et al.
Published: (2020)
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
by: J. I. Huseynov, et al.
Published: (2020)
by: J. I. Huseynov, et al.
Published: (2020)
Компенсуюча дія домішки тербію на провідність твердих розчинів TbxSn1 – xSe
by: Huseynov, J. I., et al.
Published: (2020)
by: Huseynov, J. I., et al.
Published: (2020)
ВІМС дослiдження поверхнi сплавiв на основi лантану
by: Litvinov, V. A., et al.
Published: (2018)
by: Litvinov, V. A., et al.
Published: (2018)
Импеданс полупроводниковых клатратов Sn₂₄P₁₉,₃BrxI₈₋x
by: Якимчук, А.В., et al.
Published: (2007)
by: Якимчук, А.В., et al.
Published: (2007)
Effect of doping level and compensation on thermal conductivity in CexSn1–xSe solid solutions
by: Sh. S. Ismailov, et al.
Published: (2020)
by: Sh. S. Ismailov, et al.
Published: (2020)
Electrical properties of n-SnS₂/n-CdIn₂Te₄ heterostructure
by: Gorley, P.M., et al.
Published: (2010)
by: Gorley, P.M., et al.
Published: (2010)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
by: Катеринчук, В.Н., et al.
Published: (2007)
by: Катеринчук, В.Н., et al.
Published: (2007)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
by: Katerynchuk, V. M., et al.
Published: (2007)
by: Katerynchuk, V. M., et al.
Published: (2007)
Вплив підшарів ґерманію на перенесення заряду в плівках хрому нанометрової товщини
by: Бігун, Р.І., et al.
Published: (2016)
by: Бігун, Р.І., et al.
Published: (2016)
Вплив неоднорідностей поверхні на умови перенесення заряду в ультратонких плівках металів
by: Бігун, Р.І., et al.
Published: (2014)
by: Бігун, Р.І., et al.
Published: (2014)
Вплив поверхні на перенесення заряду в тонких металевих плівках на основі неперехідних металів
by: Bigun, R. I., et al.
Published: (2010)
by: Bigun, R. I., et al.
Published: (2010)
Перехід від квантового до класичного перенесення заряду в плівках золота нанометрової товщини
by: Бучковська, М.Д., et al.
Published: (2013)
by: Бучковська, М.Д., et al.
Published: (2013)
Квазикласичне та квантове перенесення заряду в полікристалічних плівках α-Mn нанометрової товщини
by: Бігун, Р.І., et al.
Published: (2015)
by: Бігун, Р.І., et al.
Published: (2015)
I¹²⁷ NQR spectra of Pb₁₋ₓCdₓI₂ and (BiI₃)₍₁₋ₓ₎(PbI₂)ₓ of mixed layered semiconductors
by: Vertegel, I.G., et al.
Published: (2017)
by: Vertegel, I.G., et al.
Published: (2017)
I127 NQR spectra of Pb1–xCdxI2 and (BiI3)(1–x)(PbI2)x of mixed layered semiconductors
by: I. G. Vertegel, et al.
Published: (2017)
by: I. G. Vertegel, et al.
Published: (2017)
Electrical properties of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterostructure
by: P. M. Gorley, et al.
Published: (2010)
by: P. M. Gorley, et al.
Published: (2010)
Concentration dependence of the electrical conductivity and the Hall effect of CexSn1–xSe monocrystals
by: I. I. Abbasov, et al.
Published: (2019)
by: I. I. Abbasov, et al.
Published: (2019)
Symmetry peculiarities of the intracrystalline fields layered semiconductor crystals (PbI₂)₍₁₋ₓ₎(BiI₃)ₓ
by: Barabash, O.I., et al.
Published: (2012)
by: Barabash, O.I., et al.
Published: (2012)
Випромiнювання точкового заряду та принцип еквiвалентностi
by: Ломпей, Р.Р., et al.
Published: (2007)
by: Ломпей, Р.Р., et al.
Published: (2007)
Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
by: Katerinchuk, V. N., et al.
Published: (2006)
by: Katerinchuk, V. N., et al.
Published: (2006)
Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2013)
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2013)
Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
by: Sachenko, A. V., et al.
Published: (2019)
by: Sachenko, A. V., et al.
Published: (2019)
Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1)
by: V. N. Katerinchuk, et al.
Published: (2006)
by: V. N. Katerinchuk, et al.
Published: (2006)
Поляризацiйнi залежностi терагерцового випромiнювання гарячими носiями заряду в p-Te
by: Tomchuk, P. M., et al.
Published: (2018)
by: Tomchuk, P. M., et al.
Published: (2018)
Investigations on temperature dependences of parameters of ¹²⁷I NQR spectrum of (BiI₃)(₁₋ₓ)(PbI₂)ₓ mixed layered semiconductor and alkaline halogens crystals
by: Vertegel, I.G., et al.
Published: (2017)
by: Vertegel, I.G., et al.
Published: (2017)
Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb
by: Freik, D. M., et al.
Published: (2018)
by: Freik, D. M., et al.
Published: (2018)
Оптичнi властивостi i структура нанокомпозитiв (Co41Fe39B20)x(SiO2)1−x
by: Staschuk, V. S., et al.
Published: (2018)
by: Staschuk, V. S., et al.
Published: (2018)
The bibliographical index to Volumes I–X
by: V. Stanislavskyi
Published: (2010)
by: V. Stanislavskyi
Published: (2010)
Взаємодiя оптичних коливань з пастками заряду i спектри термолюмiнесценцiї полiмерiв
by: Sugakov, V., et al.
Published: (2019)
by: Sugakov, V., et al.
Published: (2019)
Перенос похибок та середнiх вимiрiв фiзичної величини для елементарних функцiй x2 та √x
by: Rode, G. G.
Published: (2018)
by: Rode, G. G.
Published: (2018)
Релаксаційні процеси в квантовому дроті з параболічним утриманням
by: Hasanov, Kh. A., et al.
Published: (2018)
by: Hasanov, Kh. A., et al.
Published: (2018)
Exciton absorption spectrum of thin (KI)₁₋x(PbI₂)x films
by: Yunakova, O.N., et al.
Published: (2013)
by: Yunakova, O.N., et al.
Published: (2013)
Density and surface tension of Sn1–xBix melts
by: R. Bilyk, et al.
Published: (2020)
by: R. Bilyk, et al.
Published: (2020)
Similar Items
-
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
by: I. I. Abbasov, et al.
Published: (2017) -
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
by: I. I. Abbasov, et al.
Published: (2017) -
Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
by: Малаховська, Т.О., et al.
Published: (2009) -
Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
by: Olikh, O. Ya.
Published: (2018) -
Перенесення заряду в полікристалічних плівках Pd нанометрової товщини
by: Бігун, Р.І., et al.
Published: (2016)