Щільність дефектних станів і спектри дефектного поглинання a-Si:H
Spectral characteristics of the coefficient of defect absorption in amorphous hydrogenated silicon have been studied. The characteristics are determined, by analyzing the electron transitions occurring with the participation of the energy states of dangling bonds. It is shown that the principal role...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018630 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозиторії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018630 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20186302019-06-20T08:56:09Z Density of Defect States and Spectra of Defect Absorption in a-Si:H Щільність дефектних станів і спектри дефектного поглинання a-Si:H Ikramov, R. G. Nuriddinova, M. A. Jalalov, R. M. amorphous semiconductors distribution of electron density of states Kubo–Greenwood formula Davis–Mott approximation optical electron transitions spectral characteristics defect absorption coefficient - Spectral characteristics of the coefficient of defect absorption in amorphous hydrogenated silicon have been studied. The characteristics are determined, by analyzing the electron transitions occurring with the participation of the energy states of dangling bonds. It is shown that the principal role in the formation of the defect absorption coefficient value is played by the electron transitions between defect and non-localized states. It is also shown that the spectral characteristics are mainly determined by the distribution function of the electron density of states in the valence or conduction band. It is found that the maxima in the spectrum of the defect absorption coefficient are observed only if there are pronounced maxima in the density of states at the edges of allowed bands. Дослiджено спектральнi характеристики коефiцiєнта дефектного поглинання аморфного гiдрогенiзованого кремнiю, якi визначаються з електронних переходiв, в яких беруть участь енергетичнi стани обiрваних зв’язкiв (дефекти). Показано, що в значеннях коефiцiєнта дефектного поглинання основну роль вiдiграють електроннi переходи мiж дефектними i нелокалiзованими станами. Також показано, що спектральна характеристика в основному визначається функцiєю розподiлу щiльностi електронних станiв, що знаходяться в валентнiй зонi або в зонi провiдностi. Визначено, що максимуми в спектральнiй характеристицi коефiцiєнта дефектного поглинання з’являються у тому випадку, коли в межах дозволених зон є яскраво вираженi максимуми. Publishing house "Academperiodika" 2019-05-16 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018630 10.15407/ujpe64.4.315 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 64 No. 4 (2019); 315 Український фізичний журнал; Том 64 № 4 (2019); 315 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe64.4 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018630/1368 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
amorphous semiconductors distribution of electron density of states Kubo–Greenwood formula Davis–Mott approximation optical electron transitions spectral characteristics defect absorption coefficient - |
| spellingShingle |
amorphous semiconductors distribution of electron density of states Kubo–Greenwood formula Davis–Mott approximation optical electron transitions spectral characteristics defect absorption coefficient - Ikramov, R. G. Nuriddinova, M. A. Jalalov, R. M. Щільність дефектних станів і спектри дефектного поглинання a-Si:H |
| topic_facet |
amorphous semiconductors distribution of electron density of states Kubo–Greenwood formula Davis–Mott approximation optical electron transitions spectral characteristics defect absorption coefficient - |
| format |
Article |
| author |
Ikramov, R. G. Nuriddinova, M. A. Jalalov, R. M. |
| author_facet |
Ikramov, R. G. Nuriddinova, M. A. Jalalov, R. M. |
| author_sort |
Ikramov, R. G. |
| title |
Щільність дефектних станів і спектри дефектного поглинання a-Si:H |
| title_short |
Щільність дефектних станів і спектри дефектного поглинання a-Si:H |
| title_full |
Щільність дефектних станів і спектри дефектного поглинання a-Si:H |
| title_fullStr |
Щільність дефектних станів і спектри дефектного поглинання a-Si:H |
| title_full_unstemmed |
Щільність дефектних станів і спектри дефектного поглинання a-Si:H |
| title_sort |
щільність дефектних станів і спектри дефектного поглинання a-si:h |
| title_alt |
Density of Defect States and Spectra of Defect Absorption in a-Si:H |
| description |
Spectral characteristics of the coefficient of defect absorption in amorphous hydrogenated silicon have been studied. The characteristics are determined, by analyzing the electron transitions occurring with the participation of the energy states of dangling bonds. It is shown that the principal role in the formation of the defect absorption coefficient value is played by the electron transitions between defect and non-localized states. It is also shown that the spectral characteristics are mainly determined by the distribution function of the electron density of states in the valence or conduction band. It is found that the maxima in the spectrum of the defect absorption coefficient are observed only if there are pronounced maxima in the density of states at the edges of allowed bands. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018630 |
| work_keys_str_mv |
AT ikramovrg densityofdefectstatesandspectraofdefectabsorptioninasih AT nuriddinovama densityofdefectstatesandspectraofdefectabsorptioninasih AT jalalovrm densityofdefectstatesandspectraofdefectabsorptioninasih AT ikramovrg ŝílʹnístʹdefektnihstanívíspektridefektnogopoglinannâasih AT nuriddinovama ŝílʹnístʹdefektnihstanívíspektridefektnogopoglinannâasih AT jalalovrm ŝílʹnístʹdefektnihstanívíspektridefektnogopoglinannâasih |
| first_indexed |
2023-03-24T08:56:24Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:56:24Z |
| _version_ |
1795757639147192320 |