Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O
Changes in the electronic and emission properties of a photocathode on the basis of a multilayered structure of oxidized Gd atoms (probably, Gd2O3) on the Si(100) substrate after the deposition of additional layers of Gd atoms onto its surface and the bombardment with Ar ions have been studied by th...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018646 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозиторії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018646 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20186462019-05-01T08:12:00Z Influence of Changes in Defect States on the Properties of Si–Gd–O Photocathode Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O Mel’nyk, P. V. Nakhodkin, M. G. Fedorchenko, M. I. Si Gd O Gd2O3 дефекти структури електроннi та емiсiйнi властивостi Si Gd O Gd2O3 structural defects electronic and emission properties - Changes in the electronic and emission properties of a photocathode on the basis of a multilayered structure of oxidized Gd atoms (probably, Gd2O3) on the Si(100) substrate after the deposition of additional layers of Gd atoms onto its surface and the bombardment with Ar ions have been studied by the methods of photoelectron (ℎv = 2.3÷10.2 eV) and Auger electron spectroscopies. The modifications of photocathode properties are found to depend on the defectness of the near-surface photocathode layer, being a result of the change in the concentration of localized electron states located in the energy gap of Gd2O3. It is shown that the bombardment of a Si–Gd–O cathode with Ar ions and its exposition to atomic hydrogen can be used to control its spectral and emission characteristics. A possibility to use the energy diagram proposed by us for the photocathode to qualitatively analyze its properties is confirmed. Методами фотоелектронної (ℎv = 2,3–10,2 еВ) та оже-електронної спектроскопiй дослiджено змiни електронних та емiсiйних властивостей фотокатода на основi багатошарової структури окислених атомiв Gd (iмовiрно Gd2O3) на пiдкладцi iз Si(100) пiсля напилення на його поверхню додаткових шарiв атомiв Gd та бомбардування iонами Ar. Встановлено, що змiни властивостей фотокатода залежать вiд дефектностi його приповерхневого шару i зумовленi змiною концентрацiї локалiзованих електронних станiв, розташованих в забороненiй зонi Gd2O3. Показано, що бомбардування iонами Ar та експозицiя в атомарному воднi катода Si–Gd–O може використовуватись для керування його спектральними та емiсiйними характеристиками. Пiдтверджена можливiсть використання запропонованої нами енергетичної схеми фотокатода для якiсного аналiзу його властивостей. Publishing house "Academperiodika" 2018-12-13 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018646 10.15407/ujpe62.08.0692 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 62 No. 8 (2017); 692 Український фізичний журнал; Том 62 № 8 (2017); 692 2071-0194 2071-0186 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018646/750 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018646/751 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
Si Gd O Gd2O3 дефекти структури електроннi та емiсiйнi властивостi Si Gd O Gd2O3 structural defects electronic and emission properties - |
| spellingShingle |
Si Gd O Gd2O3 дефекти структури електроннi та емiсiйнi властивостi Si Gd O Gd2O3 structural defects electronic and emission properties - Mel’nyk, P. V. Nakhodkin, M. G. Fedorchenko, M. I. Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O |
| topic_facet |
Si Gd O Gd2O3 дефекти структури електроннi та емiсiйнi властивостi Si Gd O Gd2O3 structural defects electronic and emission properties - |
| format |
Article |
| author |
Mel’nyk, P. V. Nakhodkin, M. G. Fedorchenko, M. I. |
| author_facet |
Mel’nyk, P. V. Nakhodkin, M. G. Fedorchenko, M. I. |
| author_sort |
Mel’nyk, P. V. |
| title |
Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O |
| title_short |
Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O |
| title_full |
Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O |
| title_fullStr |
Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O |
| title_full_unstemmed |
Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O |
| title_sort |
вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода si–gd–o |
| title_alt |
Influence of Changes in Defect States on the Properties of Si–Gd–O Photocathode |
| description |
Changes in the electronic and emission properties of a photocathode on the basis of a multilayered structure of oxidized Gd atoms (probably, Gd2O3) on the Si(100) substrate after the deposition of additional layers of Gd atoms onto its surface and the bombardment with Ar ions have been studied by the methods of photoelectron (ℎv = 2.3÷10.2 eV) and Auger electron spectroscopies. The modifications of photocathode properties are found to depend on the defectness of the near-surface photocathode layer, being a result of the change in the concentration of localized electron states located in the energy gap of Gd2O3. It is shown that the bombardment of a Si–Gd–O cathode with Ar ions and its exposition to atomic hydrogen can be used to control its spectral and emission characteristics. A possibility to use the energy diagram proposed by us for the photocathode to qualitatively analyze its properties is confirmed. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018646 |
| work_keys_str_mv |
AT melnykpv influenceofchangesindefectstatesonthepropertiesofsigdophotocathode AT nakhodkinmg influenceofchangesindefectstatesonthepropertiesofsigdophotocathode AT fedorchenkomi influenceofchangesindefectstatesonthepropertiesofsigdophotocathode AT melnykpv vplivzmindefektnihstanivnavlastivostifotokatodasigdo AT nakhodkinmg vplivzmindefektnihstanivnavlastivostifotokatodasigdo AT fedorchenkomi vplivzmindefektnihstanivnavlastivostifotokatodasigdo |
| first_indexed |
2023-03-24T08:56:28Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:56:28Z |
| _version_ |
1795757640860565504 |