Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O
Changes in the electronic and emission properties of a photocathode on the basis of a multilayered structure of oxidized Gd atoms (probably, Gd2O3) on the Si(100) substrate after the deposition of additional layers of Gd atoms onto its surface and the bombardment with Ar ions have been studied by th...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018646 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |