Новий Zno/Au/Zno польовий транзистор з широким затвором як сенсорна мембрана
ZnO/Au/ZnO (ZAuZ) multilayer structures with different thicknesses are deposited on a glass substrate by using the RF and DC magnetron sputtering methods and then are used as extended gates in field effect transistors (FET) for the pH detection. Their structural, optical, and electrical properties a...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018647 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозиторії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018647 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20186472019-05-01T08:12:07Z New Zno/Au/Zno Multilayer Field Effect Transistor with Extended Gate as a Sensing Membrane Новий Zno/Au/Zno польовий транзистор з широким затвором як сенсорна мембрана Rasheed, H. S. Ahmed, Naser M. Matjafri, M. Z. EGFET ZnO hysteresis multilayers MOSFET - ZnO/Au/ZnO (ZAuZ) multilayer structures with different thicknesses are deposited on a glass substrate by using the RF and DC magnetron sputtering methods and then are used as extended gates in field effect transistors (FET) for the pH detection. Their structural, optical, and electrical properties are investigated. The thickness parameter affected the pH sensitivity of the multilayers, by increasing the sensitivity from 0.25 мA1/2/pH to 0.3мA1/2/pH in the saturation region and from 50 mV/pH to 66.66 mV/pH in the linear region. On the contrary, in the hysteresis voltage case, it is reduced from 10.11 mV to 9.87 mV, as the thickness of multilayers increases from (100/50/100) nm to (200/100/200) nm. ZnO/Au/ZnO (ZAuZ) багатошаровi структури рiзної товщини утворенi РЧ i ПТ-магнетронним розпиленням i потiм використанi як широкий затвор у польовому транзисторi для вимiрювання рН. Дослiджено їх структуру, оптичнi та електричнi властивостi. Товщина структур впливає на рН-чутливiсть, яка росте вiд 0,25 мA1/2/pH до 0,3 мA1/2/pH в областi насичення i вiд 50 мВ/pH до 66,66 мВ/pH на лiнiйнiй дiлянцi на вiдмiну вiд випадку з гiстерезисом, коли чутливiсть зменшується вiд 10,11 мВ до 9,87 мВ, якщо товщина зростає вiд (100/50/100) нм до (200/100/200) нм. Publishing house "Academperiodika" 2018-12-13 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018647 10.15407/ujpe62.08.0699 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 62 No. 8 (2017); 699 Український фізичний журнал; Том 62 № 8 (2017); 699 2071-0194 2071-0186 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018647/752 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
EGFET ZnO hysteresis multilayers MOSFET - |
| spellingShingle |
EGFET ZnO hysteresis multilayers MOSFET - Rasheed, H. S. Ahmed, Naser M. Matjafri, M. Z. Новий Zno/Au/Zno польовий транзистор з широким затвором як сенсорна мембрана |
| topic_facet |
EGFET ZnO hysteresis multilayers MOSFET - |
| format |
Article |
| author |
Rasheed, H. S. Ahmed, Naser M. Matjafri, M. Z. |
| author_facet |
Rasheed, H. S. Ahmed, Naser M. Matjafri, M. Z. |
| author_sort |
Rasheed, H. S. |
| title |
Новий Zno/Au/Zno польовий транзистор з широким затвором як сенсорна мембрана |
| title_short |
Новий Zno/Au/Zno польовий транзистор з широким затвором як сенсорна мембрана |
| title_full |
Новий Zno/Au/Zno польовий транзистор з широким затвором як сенсорна мембрана |
| title_fullStr |
Новий Zno/Au/Zno польовий транзистор з широким затвором як сенсорна мембрана |
| title_full_unstemmed |
Новий Zno/Au/Zno польовий транзистор з широким затвором як сенсорна мембрана |
| title_sort |
новий zno/au/zno польовий транзистор з широким затвором як сенсорна мембрана |
| title_alt |
New Zno/Au/Zno Multilayer Field Effect Transistor with Extended Gate as a Sensing Membrane |
| description |
ZnO/Au/ZnO (ZAuZ) multilayer structures with different thicknesses are deposited on a glass substrate by using the RF and DC magnetron sputtering methods and then are used as extended gates in field effect transistors (FET) for the pH detection. Their structural, optical, and electrical properties are investigated. The thickness parameter affected the pH sensitivity of the multilayers, by increasing the sensitivity from 0.25 мA1/2/pH to 0.3мA1/2/pH in the saturation region and from 50 mV/pH to 66.66 mV/pH in the linear region. On the contrary, in the hysteresis voltage case, it is reduced from 10.11 mV to 9.87 mV, as the thickness of multilayers increases from (100/50/100) nm to (200/100/200) nm. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018647 |
| work_keys_str_mv |
AT rasheedhs newznoauznomultilayerfieldeffecttransistorwithextendedgateasasensingmembrane AT ahmednaserm newznoauznomultilayerfieldeffecttransistorwithextendedgateasasensingmembrane AT matjafrimz newznoauznomultilayerfieldeffecttransistorwithextendedgateasasensingmembrane AT rasheedhs novijznoauznopolʹovijtranzistorzširokimzatvoromâksensornamembrana AT ahmednaserm novijznoauznopolʹovijtranzistorzširokimzatvoromâksensornamembrana AT matjafrimz novijznoauznopolʹovijtranzistorzširokimzatvoromâksensornamembrana |
| first_indexed |
2023-03-24T08:56:28Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:56:28Z |
| _version_ |
1795757640967520256 |