Новий Zno/Au/Zno польовий транзистор з широким затвором як сенсорна мембрана

• Дата: 2018
• Автори: Rasheed, H. S., Ahmed, Naser M., Matjafri, M. Z.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Теми: EGFET; ZnO; hysteresis; multilayers; MOSFET; -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018647
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

ZnO/Au/ZnO (ZAuZ) multilayer structures with different thicknesses are deposited on a glass substrate by using the RF and DC magnetron sputtering methods and then are used as extended gates in field effect transistors (FET) for the pH detection. Their structural, optical, and electrical properties a...