Спектроскопiчнi дослiдження плазми високочастотного розряду при плазмохiмiчному травленнi епiтаксiальних структур нiтриду галiю

• Дата: 2018
• Автори: Hladkovskiy, V. V., Fedorovich, O. A.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Теми: bias voltage; plasma-chemical etching; sputtering; plasma-chemical reactor; radio-frequency discharge; optical spectroscopy; -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018698
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The results of experimental researched dealing with the bias voltage influence on the evolution of spectra emitted by plasma at the etching of gallium nitride in a plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field are reported. At high bias voltage values above –250 V, there appear lines in...