Спектроскопiчнi дослiдження плазми високочастотного розряду при плазмохiмiчному травленнi епiтаксiальних структур нiтриду галiю
The results of experimental researched dealing with the bias voltage influence on the evolution of spectra emitted by plasma at the etching of gallium nitride in a plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field are reported. At high bias voltage values above –250 V, there appear lines in...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018698 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозиторії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018698 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20186982019-04-23T07:03:17Z Spectroscopic Studies of RF Discharge Plasma at Plasma-Chemical Etching of Gallium Nitride Epitaxial Structures Спектроскопiчнi дослiдження плазми високочастотного розряду при плазмохiмiчному травленнi епiтаксiальних структур нiтриду галiю Hladkovskiy, V. V. Fedorovich, O. A. bias voltage plasma-chemical etching sputtering plasma-chemical reactor radio-frequency discharge optical spectroscopy - The results of experimental researched dealing with the bias voltage influence on the evolution of spectra emitted by plasma at the etching of gallium nitride in a plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field are reported. At high bias voltage values above –250 V, there appear lines in the plasma emission spectra which belong to the excited atoms of the material of a working electrode. Under the influence of a negative potential, the active electrode is sputtered, and metal ions are redeposited onto its surface, which results in the lower etching rate. Приведено результати експериментальних дослiджень впливу напруги змiщення на еволюцiю спектрiв випромiнювання плазми при травленнi нiтриду галiю в плазмохiмiчному реакторi (ПХР) з керованими магнiтними полями. При значеннях напруги змiщення бiльших за –250 В на спектрах випромiнювання плазми з’являються лiнiї, що належать збудженим атомам матерiалiв, з яких виготовлений робочий електрод. Пiд впливом вiд’ємного потенцiалу проходить розпилення активного електрода i переосадження iонiв металу на поверхню зразка, який обробляється, що приводить до зменшення швидкостi травлення. Publishing house "Academperiodika" 2018-12-16 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018698 10.15407/ujpe62.03.0208 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 62 No. 3 (2017); 208 Український фізичний журнал; Том 62 № 3 (2017); 208 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe62.03 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018698/828 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
bias voltage plasma-chemical etching sputtering plasma-chemical reactor radio-frequency discharge optical spectroscopy - |
| spellingShingle |
bias voltage plasma-chemical etching sputtering plasma-chemical reactor radio-frequency discharge optical spectroscopy - Hladkovskiy, V. V. Fedorovich, O. A. Спектроскопiчнi дослiдження плазми високочастотного розряду при плазмохiмiчному травленнi епiтаксiальних структур нiтриду галiю |
| topic_facet |
bias voltage plasma-chemical etching sputtering plasma-chemical reactor radio-frequency discharge optical spectroscopy - |
| format |
Article |
| author |
Hladkovskiy, V. V. Fedorovich, O. A. |
| author_facet |
Hladkovskiy, V. V. Fedorovich, O. A. |
| author_sort |
Hladkovskiy, V. V. |
| title |
Спектроскопiчнi дослiдження плазми високочастотного розряду при плазмохiмiчному травленнi епiтаксiальних структур нiтриду галiю |
| title_short |
Спектроскопiчнi дослiдження плазми високочастотного розряду при плазмохiмiчному травленнi епiтаксiальних структур нiтриду галiю |
| title_full |
Спектроскопiчнi дослiдження плазми високочастотного розряду при плазмохiмiчному травленнi епiтаксiальних структур нiтриду галiю |
| title_fullStr |
Спектроскопiчнi дослiдження плазми високочастотного розряду при плазмохiмiчному травленнi епiтаксiальних структур нiтриду галiю |
| title_full_unstemmed |
Спектроскопiчнi дослiдження плазми високочастотного розряду при плазмохiмiчному травленнi епiтаксiальних структур нiтриду галiю |
| title_sort |
спектроскопiчнi дослiдження плазми високочастотного розряду при плазмохiмiчному травленнi епiтаксiальних структур нiтриду галiю |
| title_alt |
Spectroscopic Studies of RF Discharge Plasma at Plasma-Chemical Etching of Gallium Nitride Epitaxial Structures |
| description |
The results of experimental researched dealing with the bias voltage influence on the evolution of spectra emitted by plasma at the etching of gallium nitride in a plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field are reported. At high bias voltage values above –250 V, there appear lines in the plasma emission spectra which belong to the excited atoms of the material of a working electrode. Under the influence of a negative potential, the active electrode is sputtered, and metal ions are redeposited onto its surface, which results in the lower etching rate. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018698 |
| work_keys_str_mv |
AT hladkovskiyvv spectroscopicstudiesofrfdischargeplasmaatplasmachemicaletchingofgalliumnitrideepitaxialstructures AT fedorovichoa spectroscopicstudiesofrfdischargeplasmaatplasmachemicaletchingofgalliumnitrideepitaxialstructures AT hladkovskiyvv spektroskopičnidoslidžennâplazmivisokočastotnogorozrâdupriplazmohimičnomutravlenniepitaksialʹnihstrukturnitridugaliû AT fedorovichoa spektroskopičnidoslidžennâplazmivisokočastotnogorozrâdupriplazmohimičnomutravlenniepitaksialʹnihstrukturnitridugaliû |
| first_indexed |
2023-03-24T08:56:39Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:56:39Z |
| _version_ |
1795757646426406912 |