Вплив олова на структурнi перетворення тонкоплiвкової субоксидної матрицi кремнiю
The processes of crystallization of amorphous silicon (a-Si) in the a-SiOxSn (1 ≤ x ≤ 2) sub-oxide matrix have been studied. The temperature, at which the crystallization begins, is shown to be lower for a-SiOxSn films with higher tin contents. For specimens with the maximum tin content (about 2 vol...
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автори: | , , , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English Ukrainian |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019014 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |