Енергiї утворення вакансiй у напiвпровiдниках, одержанi напiвемпiричними методами

• Дата: 2019
• Автори: Horichok, I. V., Hurhula, H. Ya., Prokopiv, V. V., Pylyponiuk, M. A.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
• Теми: semiconductors; point defects; defect formation energy; -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019016
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Using the extended H¨uckel method and the methods based on thermochemical, thermodynamic, and electrophysical data, the energies of vacancy formation in AIIBVI, AIIIBV, and AIVBVI semiconductor crystals have been determined. A correlation of the obtained values with one another and with the literatu...