Енергiї утворення вакансiй у напiвпровiдниках, одержанi напiвемпiричними методами
Using the extended H¨uckel method and the methods based on thermochemical, thermodynamic, and electrophysical data, the energies of vacancy formation in AIIBVI, AIIIBV, and AIVBVI semiconductor crystals have been determined. A correlation of the obtained values with one another and with the literatu...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019016 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019016 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20190162019-04-20T08:05:08Z Semiempirical Energies of Vacancy Formation in Semiconductors Енергiї утворення вакансiй у напiвпровiдниках, одержанi напiвемпiричними методами Horichok, I. V. Hurhula, H. Ya. Prokopiv, V. V. Pylyponiuk, M. A. semiconductors point defects defect formation energy - Using the extended H¨uckel method and the methods based on thermochemical, thermodynamic, and electrophysical data, the energies of vacancy formation in AIIBVI, AIIIBV, and AIVBVI semiconductor crystals have been determined. A correlation of the obtained values with one another and with the literature experimental and ab initio theoretical data is established. This testifies to the adequacy of the applied methods and to a possibility of using them for the estimation of the defect concentration in semiconductors. Використовуючи розширений метод Хюккеля, а також методи, що базуються на використаннi термохiмiчних, термодинамiчних та електрофiзичних даних, визначено енергiї утворення вакансiй металу та халькогену у напiвпровiдникових кристалах AIIBVI, AIIIBV та AIVBVI. Встановлена кореляцiя отриманих значень як мiж собою, так i з лiтературними експериментальними та теоретичними ab initio даними, що свiдчить про їх адекватнiсть i можливiсть використання для оцiнки концентрацiй цих дефектiв у напiвпровiдниках. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-04 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019016 10.15407/ujpe61.11.0992 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 11 (2016); 992 Український фізичний журнал; Том 61 № 11 (2016); 992 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe61.11 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019016/893 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2019-04-20T08:05:08Z |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic_facet |
semiconductors point defects defect formation energy - |
| format |
Article |
| author |
Horichok, I. V. Hurhula, H. Ya. Prokopiv, V. V. Pylyponiuk, M. A. |
| spellingShingle |
Horichok, I. V. Hurhula, H. Ya. Prokopiv, V. V. Pylyponiuk, M. A. Енергiї утворення вакансiй у напiвпровiдниках, одержанi напiвемпiричними методами |
| author_facet |
Horichok, I. V. Hurhula, H. Ya. Prokopiv, V. V. Pylyponiuk, M. A. |
| author_sort |
Horichok, I. V. |
| title |
Енергiї утворення вакансiй у напiвпровiдниках, одержанi напiвемпiричними методами |
| title_short |
Енергiї утворення вакансiй у напiвпровiдниках, одержанi напiвемпiричними методами |
| title_full |
Енергiї утворення вакансiй у напiвпровiдниках, одержанi напiвемпiричними методами |
| title_fullStr |
Енергiї утворення вакансiй у напiвпровiдниках, одержанi напiвемпiричними методами |
| title_full_unstemmed |
Енергiї утворення вакансiй у напiвпровiдниках, одержанi напiвемпiричними методами |
| title_sort |
енергiї утворення вакансiй у напiвпровiдниках, одержанi напiвемпiричними методами |
| title_alt |
Semiempirical Energies of Vacancy Formation in Semiconductors |
| description |
Using the extended H¨uckel method and the methods based on thermochemical, thermodynamic, and electrophysical data, the energies of vacancy formation in AIIBVI, AIIIBV, and AIVBVI semiconductor crystals have been determined. A correlation of the obtained values with one another and with the literature experimental and ab initio theoretical data is established. This testifies to the adequacy of the applied methods and to a possibility of using them for the estimation of the defect concentration in semiconductors. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019016 |
| work_keys_str_mv |
AT horichokiv semiempiricalenergiesofvacancyformationinsemiconductors AT hurhulahya semiempiricalenergiesofvacancyformationinsemiconductors AT prokopivvv semiempiricalenergiesofvacancyformationinsemiconductors AT pylyponiukma semiempiricalenergiesofvacancyformationinsemiconductors AT horichokiv energiíutvorennâvakansijunapivprovidnikahoderžaninapivempiričnimimetodami AT hurhulahya energiíutvorennâvakansijunapivprovidnikahoderžaninapivempiričnimimetodami AT prokopivvv energiíutvorennâvakansijunapivprovidnikahoderžaninapivempiričnimimetodami AT pylyponiukma energiíutvorennâvakansijunapivprovidnikahoderžaninapivempiričnimimetodami |
| first_indexed |
2025-10-02T01:15:35Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:15:35Z |
| _version_ |
1851765151439519744 |