Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв

• Дата: 2019
• Автори: Sachenko, A. V., Kostylyov, V. P., Vlasiuk, V. M., Korkishko, R. M., Sokolovs’kyi, I. O., Chernenko, V. V.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
• Теми: рекомбiнацiйний струм; область просторового заряду; кремнiєвi сонячнi елементи; глибокий рекомбiнацiйний рiвень; recombination current; space charge region; silicon solar cells; deep recombination level; -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019029
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Dark I–V curves of silicon solar cells with various Shockley–Reed–Hall lifetimes have been studied. The lifetimes are determined from the short-circuit-current internal quantum yield. The recombination currents in the space charge region (SCR) are found to be formed within time intervals that are at...