Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв

Dark I–V curves of silicon solar cells with various Shockley–Reed–Hall lifetimes have been studied. The lifetimes are determined from the short-circuit-current internal quantum yield. The recombination currents in the space charge region (SCR) are found to be formed within time intervals that are at...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	Sachenko, A. V., Kostylyov, V. P., Vlasiuk, V. M., Korkishko, R. M., Sokolovs’kyi, I. O., Chernenko, V. V.
Формат:	Стаття
Мова:	English Ukrainian
Опубліковано:	Publishing house "Academperiodika" 2019
Теми:	рекомбiнацiйний струм область просторового заряду кремнiєвi сонячнi елементи глибокий рекомбiнацiйний рiвень recombination current space charge region silicon solar cells deep recombination level -
Онлайн доступ:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019029
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Репозиторії

Ukrainian Journal of Physics

id	ujp2-article-2019029
record_format	ojs
spelling	ujp2-article-20190292019-04-20T07:57:05Z Features in the Formation of a Recombination Current in the Space Charge Region of Silicon Solar Cells Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв Sachenko, A. V. Kostylyov, V. P. Vlasiuk, V. M. Korkishko, R. M. Sokolovs’kyi, I. O. Chernenko, V. V. рекомбiнацiйний струм область просторового заряду кремнiєвi сонячнi елементи глибокий рекомбiнацiйний рiвень recombination current space charge region silicon solar cells deep recombination level - Dark I–V curves of silicon solar cells with various Shockley–Reed–Hall lifetimes have been studied. The lifetimes are determined from the short-circuit-current internal quantum yield. The recombination currents in the space charge region (SCR) are found to be formed within time intervals that are at least an order of magnitude shorter than the charge-carrier bulk lifetime. This effect can be associated with a high defect concentration (and, therefore, a high deep-level concentration) in the SCR of examined Si structures. The parameters of deep centers that are responsible for the recombination in the SCR have been evaluated. Дослiджено темновi ВАХ кремнiєвих сонячних елементiв з рiзними часами життя Шоклi–Рiда–Холла, якi визначались з спектральних залежностей внутрiшнього квантового виходу струму короткого замикання. Встановлено, що рекомбiнацiйнi струми в областi просторового заряду (ОПЗ) формуються на основi часiв життя, менших, принаймнi на порядок, за об’ємнi часи життя. Це пояснено великою концентрацiєю дефектiв, якi приводять до появи глибоких рiвнiв, в ОПЗ дослiджуваних структур кремнiю. Оцiнено параметри глибоких рiвнiв, вiдповiдальних за рекомбiнацiю в ОПЗ. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-04 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019029 10.15407/ujpe61.10.0917 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 10 (2016); 917 Український фізичний журнал; Том 61 № 10 (2016); 917 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe61.10 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019029/911 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019029/912 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution	Ukrainian Journal of Physics
collection	OJS
language	English Ukrainian
topic	рекомбiнацiйний струм область просторового заряду кремнiєвi сонячнi елементи глибокий рекомбiнацiйний рiвень recombination current space charge region silicon solar cells deep recombination level -
spellingShingle	рекомбiнацiйний струм область просторового заряду кремнiєвi сонячнi елементи глибокий рекомбiнацiйний рiвень recombination current space charge region silicon solar cells deep recombination level - Sachenko, A. V. Kostylyov, V. P. Vlasiuk, V. M. Korkishko, R. M. Sokolovs’kyi, I. O. Chernenko, V. V. Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
topic_facet	рекомбiнацiйний струм область просторового заряду кремнiєвi сонячнi елементи глибокий рекомбiнацiйний рiвень recombination current space charge region silicon solar cells deep recombination level -
format	Article
author	Sachenko, A. V. Kostylyov, V. P. Vlasiuk, V. M. Korkishko, R. M. Sokolovs’kyi, I. O. Chernenko, V. V.
author_facet	Sachenko, A. V. Kostylyov, V. P. Vlasiuk, V. M. Korkishko, R. M. Sokolovs’kyi, I. O. Chernenko, V. V.
author_sort	Sachenko, A. V.
title	Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
title_short	Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
title_full	Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
title_fullStr	Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
title_full_unstemmed	Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
title_sort	особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
title_alt	Features in the Formation of a Recombination Current in the Space Charge Region of Silicon Solar Cells
description	Dark I–V curves of silicon solar cells with various Shockley–Reed–Hall lifetimes have been studied. The lifetimes are determined from the short-circuit-current internal quantum yield. The recombination currents in the space charge region (SCR) are found to be formed within time intervals that are at least an order of magnitude shorter than the charge-carrier bulk lifetime. This effect can be associated with a high defect concentration (and, therefore, a high deep-level concentration) in the SCR of examined Si structures. The parameters of deep centers that are responsible for the recombination in the SCR have been evaluated.
publisher	Publishing house "Academperiodika"
publishDate	2019
url	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019029
work_keys_str_mv	AT sachenkoav featuresintheformationofarecombinationcurrentinthespacechargeregionofsiliconsolarcells AT kostylyovvp featuresintheformationofarecombinationcurrentinthespacechargeregionofsiliconsolarcells AT vlasiukvm featuresintheformationofarecombinationcurrentinthespacechargeregionofsiliconsolarcells AT korkishkorm featuresintheformationofarecombinationcurrentinthespacechargeregionofsiliconsolarcells AT sokolovskyiio featuresintheformationofarecombinationcurrentinthespacechargeregionofsiliconsolarcells AT chernenkovv featuresintheformationofarecombinationcurrentinthespacechargeregionofsiliconsolarcells AT sachenkoav osoblivostiformuvannârekombinacijnogostrumuvoblastiprostorovogozarâdukremniêvihsonâčnihelementiv AT kostylyovvp osoblivostiformuvannârekombinacijnogostrumuvoblastiprostorovogozarâdukremniêvihsonâčnihelementiv AT vlasiukvm osoblivostiformuvannârekombinacijnogostrumuvoblastiprostorovogozarâdukremniêvihsonâčnihelementiv AT korkishkorm osoblivostiformuvannârekombinacijnogostrumuvoblastiprostorovogozarâdukremniêvihsonâčnihelementiv AT sokolovskyiio osoblivostiformuvannârekombinacijnogostrumuvoblastiprostorovogozarâdukremniêvihsonâčnihelementiv AT chernenkovv osoblivostiformuvannârekombinacijnogostrumuvoblastiprostorovogozarâdukremniêvihsonâčnihelementiv
first_indexed	2023-03-24T08:56:53Z
last_indexed	2023-03-24T08:56:53Z
_version_	1795757652745125888

Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв

Репозиторії

Схожі ресурси