Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si
Optical and electrical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructures with films 6 and 12 nm in thickness deposited on a nanostructured silicon surface by the magnetron sputtering have been considered. It is shown that the 6-nm film is characterized by several peaks in the optical absorpti...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019105 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019105 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20191052019-04-16T20:22:51Z Optical and Electrophysical Properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si Heterostructure Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si Vinichenko, V. A. Buchenko, V. V. Goloborodko, N. S. Lendel, V. V. Lushkin, A. E. Telega, V. N. current-voltage characteristics absorption spectrum thin films transparent oxides - вольт-ампернi характеристики спектр поглинання тонкi плiвки прозорi оксиди Optical and electrical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructures with films 6 and 12 nm in thickness deposited on a nanostructured silicon surface by the magnetron sputtering have been considered. It is shown that the 6-nm film is characterized by several peaks in the optical absorption spectrum, while the 12-nm film has no absorption peaks in the same spectral interval. The influence of the environment and the optical irradiation on the electrical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si structures is determined. Their response to the gas environment is shown to be governed by the dielectric permittivity of an adsorbate. The results obtained can be used in the development of resistive gas sensors based on 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si films. У роботi розглянуто оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктур 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si з товщиною плiвок 6 та 12 нм, що наносились методом магнетронного розпилення на структуровану поверхню кремнiю. Показано, що для плiвки товщиною 6 нм характерна наявнiсть декiлькох пiкiв оптичного поглинання, тодi як у структурi з товщиною 12 нм в тому ж спектральному дiапазонi цi максимуми вiдсутнi. Визначено вплив газового середовища та оптичного випромiнювання на електрофiзичнi властивостi структур 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si та показано, що вiдгук дослiджуваних структур на газове середовище пов’язаний з дiелектричною проникнiстю адсорбату. Результати даного дослiдження можна застосовувати при розробцi резистивних газових сенсорiв на основi плiвок 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-06 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019105 10.15407/ujpe61.03.0240 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 3 (2016); 240 Український фізичний журнал; Том 61 № 3 (2016); 240 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe61.03 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019105/1008 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019105/1009 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
current-voltage characteristics absorption spectrum thin films transparent oxides - вольт-ампернi характеристики спектр поглинання тонкi плiвки прозорi оксиди |
| spellingShingle |
current-voltage characteristics absorption spectrum thin films transparent oxides - вольт-ампернi характеристики спектр поглинання тонкi плiвки прозорi оксиди Vinichenko, V. A. Buchenko, V. V. Goloborodko, N. S. Lendel, V. V. Lushkin, A. E. Telega, V. N. Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si |
| topic_facet |
current-voltage characteristics absorption spectrum thin films transparent oxides - вольт-ампернi характеристики спектр поглинання тонкi плiвки прозорi оксиди |
| format |
Article |
| author |
Vinichenko, V. A. Buchenko, V. V. Goloborodko, N. S. Lendel, V. V. Lushkin, A. E. Telega, V. N. |
| author_facet |
Vinichenko, V. A. Buchenko, V. V. Goloborodko, N. S. Lendel, V. V. Lushkin, A. E. Telega, V. N. |
| author_sort |
Vinichenko, V. A. |
| title |
Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si |
| title_short |
Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si |
| title_full |
Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si |
| title_fullStr |
Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si |
| title_full_unstemmed |
Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si |
| title_sort |
оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% in2o3 + 5% sno2/ns-si |
| title_alt |
Optical and Electrophysical Properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si Heterostructure |
| description |
Optical and electrical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructures with films 6 and 12 nm in thickness deposited on a nanostructured silicon surface by the magnetron sputtering have been considered. It is shown that the 6-nm film is characterized by several peaks in the optical absorption spectrum, while the 12-nm film has no absorption peaks in the same spectral interval. The influence of the environment and the optical irradiation on the electrical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si structures is determined. Their response to the gas environment is shown to be governed by the dielectric permittivity of an adsorbate. The results obtained can be used in the development of resistive gas sensors based on 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si films. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019105 |
| work_keys_str_mv |
AT vinichenkova opticalandelectrophysicalpropertiesof95in2o35sno2nssiheterostructure AT buchenkovv opticalandelectrophysicalpropertiesof95in2o35sno2nssiheterostructure AT goloborodkons opticalandelectrophysicalpropertiesof95in2o35sno2nssiheterostructure AT lendelvv opticalandelectrophysicalpropertiesof95in2o35sno2nssiheterostructure AT lushkinae opticalandelectrophysicalpropertiesof95in2o35sno2nssiheterostructure AT telegavn opticalandelectrophysicalpropertiesof95in2o35sno2nssiheterostructure AT vinichenkova optičnitaelektrofizičnivlastivostigeterostrukturi95in2o35sno2nssi AT buchenkovv optičnitaelektrofizičnivlastivostigeterostrukturi95in2o35sno2nssi AT goloborodkons optičnitaelektrofizičnivlastivostigeterostrukturi95in2o35sno2nssi AT lendelvv optičnitaelektrofizičnivlastivostigeterostrukturi95in2o35sno2nssi AT lushkinae optičnitaelektrofizičnivlastivostigeterostrukturi95in2o35sno2nssi AT telegavn optičnitaelektrofizičnivlastivostigeterostrukturi95in2o35sno2nssi |
| first_indexed |
2023-03-24T08:57:11Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:57:11Z |
| _version_ |
1795757660873687040 |