Термоелектричнi властивостi легованого вiсмутом станум телуриду SnTe:Bi

• Дата: 2019
• Автори: Freik, D. M., Mudryi, S. I., Gorichok, I. V., Prokopiv, V. V., Matkivsky, O. M., Arsenjuk, I. O., Krynytsky, O. S., Bojchyk, V. M.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
• Теми: станум телурид; легування; термоелектричнi властивостi; tin telluride; doping; thermoelectric properties; -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019117
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

X-ray researches are carries out, and the thermoelectric coefficient a and the specific conductivity q are measured for tin telluride specimens doped with bismuth to concentrations of 0–2.0 at.% Bi. Non-monotonic dependences of the unit cell parameter and the electrical parameters on the Bi impurity...