Термоелектричнi властивостi легованого вiсмутом станум телуриду SnTe:Bi
X-ray researches are carries out, and the thermoelectric coefficient a and the specific conductivity q are measured for tin telluride specimens doped with bismuth to concentrations of 0–2.0 at.% Bi. Non-monotonic dependences of the unit cell parameter and the electrical parameters on the Bi impurity...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019117 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019117 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20191172019-04-16T20:12:05Z Thermoelectric Properties of Bismuth-Doped Tin Telluride SnTe:Bi Термоелектричнi властивостi легованого вiсмутом станум телуриду SnTe:Bi Freik, D. M. Mudryi, S. I. Gorichok, I. V. Prokopiv, V. V. Matkivsky, O. M. Arsenjuk, I. O. Krynytsky, O. S. Bojchyk, V. M. станум телурид легування термоелектричнi властивостi tin telluride doping thermoelectric properties - X-ray researches are carries out, and the thermoelectric coefficient a and the specific conductivity q are measured for tin telluride specimens doped with bismuth to concentrations of 0–2.0 at.% Bi. Non-monotonic dependences of the unit cell parameter and the electrical parameters on the Bi impurity content are demonstrated. The introduction of bismuth to 1.0 at.% is found to favor an increase in the thermoelectric power a2q in SnTe at temperatures T > 500 K as a result of the thermoelectric coefficient growth. Проведено рентгенографiчнi дослiдження та вимiрювання коефiцiєнта термо-ерс (a) i питомої електропровiдностi (q), легованого вiсмутом станум телуриду у дiапазонi концентрацiй (0–2,0) ат.% Вi. Встановлено немонотоннi залежностi параметра елементарної комiрки та електрофiзичних параметрiв вiд вмiсту домiшки. Показано, що введення вiсмуту в кiлькостi 1,0 ат.% сприяє зростанню в iнтервалi температур T > 500 К термоелектричної потужностi a2q SnTe внаслiдок збiльшення коефiцiєнта термо-ерс (a) порiвняно з нелегованим матерiалом. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-08 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019117 10.15407/ujpe61.02.0155 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 2 (2016); 155 Український фізичний журнал; Том 61 № 2 (2016); 155 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe61.02 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019117/1030 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019117/1031 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2019-04-16T20:12:05Z |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
станум телурид легування термоелектричнi властивостi |
| spellingShingle |
станум телурид легування термоелектричнi властивостi Freik, D. M. Mudryi, S. I. Gorichok, I. V. Prokopiv, V. V. Matkivsky, O. M. Arsenjuk, I. O. Krynytsky, O. S. Bojchyk, V. M. Термоелектричнi властивостi легованого вiсмутом станум телуриду SnTe:Bi |
| topic_facet |
станум телурид легування термоелектричнi властивостi tin telluride doping thermoelectric properties - |
| format |
Article |
| author |
Freik, D. M. Mudryi, S. I. Gorichok, I. V. Prokopiv, V. V. Matkivsky, O. M. Arsenjuk, I. O. Krynytsky, O. S. Bojchyk, V. M. |
| author_facet |
Freik, D. M. Mudryi, S. I. Gorichok, I. V. Prokopiv, V. V. Matkivsky, O. M. Arsenjuk, I. O. Krynytsky, O. S. Bojchyk, V. M. |
| author_sort |
Freik, D. M. |
| title |
Термоелектричнi властивостi легованого вiсмутом станум телуриду SnTe:Bi |
| title_short |
Термоелектричнi властивостi легованого вiсмутом станум телуриду SnTe:Bi |
| title_full |
Термоелектричнi властивостi легованого вiсмутом станум телуриду SnTe:Bi |
| title_fullStr |
Термоелектричнi властивостi легованого вiсмутом станум телуриду SnTe:Bi |
| title_full_unstemmed |
Термоелектричнi властивостi легованого вiсмутом станум телуриду SnTe:Bi |
| title_sort |
термоелектричнi властивостi легованого вiсмутом станум телуриду snte:bi |
| title_alt |
Thermoelectric Properties of Bismuth-Doped Tin Telluride SnTe:Bi |
| description |
X-ray researches are carries out, and the thermoelectric coefficient a and the specific conductivity q are measured for tin telluride specimens doped with bismuth to concentrations of 0–2.0 at.% Bi. Non-monotonic dependences of the unit cell parameter and the electrical parameters on the Bi impurity content are demonstrated. The introduction of bismuth to 1.0 at.% is found to favor an increase in the thermoelectric power a2q in SnTe at temperatures T > 500 K as a result of the thermoelectric coefficient growth. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019117 |
| work_keys_str_mv |
AT freikdm thermoelectricpropertiesofbismuthdopedtintelluridesntebi AT mudryisi thermoelectricpropertiesofbismuthdopedtintelluridesntebi AT gorichokiv thermoelectricpropertiesofbismuthdopedtintelluridesntebi AT prokopivvv thermoelectricpropertiesofbismuthdopedtintelluridesntebi AT matkivskyom thermoelectricpropertiesofbismuthdopedtintelluridesntebi AT arsenjukio thermoelectricpropertiesofbismuthdopedtintelluridesntebi AT krynytskyos thermoelectricpropertiesofbismuthdopedtintelluridesntebi AT bojchykvm thermoelectricpropertiesofbismuthdopedtintelluridesntebi AT freikdm termoelektričnivlastivostilegovanogovismutomstanumteluridusntebi AT mudryisi termoelektričnivlastivostilegovanogovismutomstanumteluridusntebi AT gorichokiv termoelektričnivlastivostilegovanogovismutomstanumteluridusntebi AT prokopivvv termoelektričnivlastivostilegovanogovismutomstanumteluridusntebi AT matkivskyom termoelektričnivlastivostilegovanogovismutomstanumteluridusntebi AT arsenjukio termoelektričnivlastivostilegovanogovismutomstanumteluridusntebi AT krynytskyos termoelektričnivlastivostilegovanogovismutomstanumteluridusntebi AT bojchykvm termoelektričnivlastivostilegovanogovismutomstanumteluridusntebi |
| first_indexed |
2025-10-02T01:15:53Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:15:53Z |
| _version_ |
1851765172620754944 |