Пропозицiя структури графен/Ge(111) на основi дослiдження методом скануючої тунельної мiкроскопiї у надвисокому вакуумi
We report on the 5.5√3 × 5.5√3 − R30 ∘ overlayer superstructure observed by the scanning tunneling microscopy on the Ge(111) surface. It shows pronounced effects of the local density of states leading to the strong dependence of STM images on the bias voltage and some dynamic changes of images at 30...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019131 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019131 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20191312019-04-16T20:00:28Z A Suggestion of the Graphene/Ge(111) Structure Based on Ultra-High Vacuum Scanning Tunneling Microscopy Investigation Пропозицiя структури графен/Ge(111) на основi дослiдження методом скануючої тунельної мiкроскопiї у надвисокому вакуумi Goriachko, A. Melnik, P. V. Nakhodkin, M. G. германiй графен сканувальна тунельна мiкроскопiя germanium graphene scanning tunneling microscopy - We report on the 5.5√3 × 5.5√3 − R30 ∘ overlayer superstructure observed by the scanning tunneling microscopy on the Ge(111) surface. It shows pronounced effects of the local density of states leading to the strong dependence of STM images on the bias voltage and some dynamic changes of images at 300 K. This overlayer is tentatively interpreted as graphene formed in small submonolayer amounts due to the pyrolysis of hydrocarbon constituents of the residual atmosphere of the vacuum chamber during the annealing of a Ge(111) sample at 900 K. We suggest a model of the graphene/Ge(111)-5.5√3 × 5.5√3 − R30 ∘ heteroepitaxial interface, featuring the reconstructed Ge(111) substrate with no long-range order under the graphene layer, the latter being corrugated due to spatial variations of the interatomic geometry of the Ge(111) and graphene(0001) atomic lattices with extremely large mismatch. У роботi наведено результати експериментальних спостережень методом скануючої тунельної мiкроскопiї нової поверхневої надструктури 5,5√3 × 5,5√3 − R30 ∘ на пiдкладцi Ge(111). Їй притаманнi яскраво вираженi ефекти локальної густини електронних станiв, що спричиняють сильну залежнiсть СТМ зображень вiд тунельної напруги, а також їхнi динамiчнi змiни при 300 К. Запропоновано iнтерпретацiю даної надструктури як графену, що формується у малих субмоношарових кiлькостях шляхом пiролiзу вуглеводневих складових залишкової атмосфери вакуумної камери пiд час вiдпалу зразка Ge(111) при 900 K. Побудовано атомарну модель гетероепiтаксiйного iнтерфейсу графен/Ge(111)-5,5√3 × 5,5√3 −R30 ∘, що вiдзначається реконструйованою пiдкладкою Ge(111) без дальнього порядку пiд шаром графену, який є перiодично вигнутим по висотi внаслiдок просторових варiацiй мiжатомної геометрiї надзвичайно сильно неузгоджених ґраток Ge(111) та графен(0001). Publishing house "Academperiodika" 2019-01-08 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019131 10.15407/ujpe61.01.0075 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 1 (2016); 75 Український фізичний журнал; Том 61 № 1 (2016); 75 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe61.01 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019131/1056 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019131/1057 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
германiй графен сканувальна тунельна мiкроскопiя germanium graphene scanning tunneling microscopy - |
| spellingShingle |
германiй графен сканувальна тунельна мiкроскопiя germanium graphene scanning tunneling microscopy - Goriachko, A. Melnik, P. V. Nakhodkin, M. G. Пропозицiя структури графен/Ge(111) на основi дослiдження методом скануючої тунельної мiкроскопiї у надвисокому вакуумi |
| topic_facet |
германiй графен сканувальна тунельна мiкроскопiя germanium graphene scanning tunneling microscopy - |
| format |
Article |
| author |
Goriachko, A. Melnik, P. V. Nakhodkin, M. G. |
| author_facet |
Goriachko, A. Melnik, P. V. Nakhodkin, M. G. |
| author_sort |
Goriachko, A. |
| title |
Пропозицiя структури графен/Ge(111) на основi дослiдження методом скануючої тунельної мiкроскопiї у надвисокому вакуумi |
| title_short |
Пропозицiя структури графен/Ge(111) на основi дослiдження методом скануючої тунельної мiкроскопiї у надвисокому вакуумi |
| title_full |
Пропозицiя структури графен/Ge(111) на основi дослiдження методом скануючої тунельної мiкроскопiї у надвисокому вакуумi |
| title_fullStr |
Пропозицiя структури графен/Ge(111) на основi дослiдження методом скануючої тунельної мiкроскопiї у надвисокому вакуумi |
| title_full_unstemmed |
Пропозицiя структури графен/Ge(111) на основi дослiдження методом скануючої тунельної мiкроскопiї у надвисокому вакуумi |
| title_sort |
пропозицiя структури графен/ge(111) на основi дослiдження методом скануючої тунельної мiкроскопiї у надвисокому вакуумi |
| title_alt |
A Suggestion of the Graphene/Ge(111) Structure Based on Ultra-High Vacuum Scanning Tunneling Microscopy Investigation |
| description |
We report on the 5.5√3 × 5.5√3 − R30 ∘ overlayer superstructure observed by the scanning tunneling microscopy on the Ge(111) surface. It shows pronounced effects of the local density of states leading to the strong dependence of STM images on the bias voltage and some dynamic changes of images at 300 K. This overlayer is tentatively interpreted as graphene formed in small submonolayer amounts due to the pyrolysis of hydrocarbon constituents of the residual atmosphere of the vacuum chamber during the annealing of a Ge(111) sample at 900 K. We suggest a model of the graphene/Ge(111)-5.5√3 × 5.5√3 − R30 ∘ heteroepitaxial interface, featuring the reconstructed Ge(111) substrate with no long-range order under the graphene layer, the latter being corrugated due to spatial variations of the interatomic geometry of the Ge(111) and graphene(0001) atomic lattices with extremely large mismatch. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019131 |
| work_keys_str_mv |
AT goriachkoa asuggestionofthegraphenege111structurebasedonultrahighvacuumscanningtunnelingmicroscopyinvestigation AT melnikpv asuggestionofthegraphenege111structurebasedonultrahighvacuumscanningtunnelingmicroscopyinvestigation AT nakhodkinmg asuggestionofthegraphenege111structurebasedonultrahighvacuumscanningtunnelingmicroscopyinvestigation AT goriachkoa propoziciâstrukturigrafenge111naosnovidoslidžennâmetodomskanuûčoítunelʹnoímikroskopiíunadvisokomuvakuumi AT melnikpv propoziciâstrukturigrafenge111naosnovidoslidžennâmetodomskanuûčoítunelʹnoímikroskopiíunadvisokomuvakuumi AT nakhodkinmg propoziciâstrukturigrafenge111naosnovidoslidžennâmetodomskanuûčoítunelʹnoímikroskopiíunadvisokomuvakuumi AT goriachkoa suggestionofthegraphenege111structurebasedonultrahighvacuumscanningtunnelingmicroscopyinvestigation AT melnikpv suggestionofthegraphenege111structurebasedonultrahighvacuumscanningtunnelingmicroscopyinvestigation AT nakhodkinmg suggestionofthegraphenege111structurebasedonultrahighvacuumscanningtunnelingmicroscopyinvestigation |
| first_indexed |
2023-03-24T08:57:16Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:57:16Z |
| _version_ |
1795757663657656320 |