Показ 1 - 12 результатів із 12 для пошуку 'Nakhodkin, M. G.', час виконання запиту: 0.01сек. Уточнити результати
  1. 1
    Фотоелeктронна емiсiя катода Si–Gd–O
    за авторством Nakhodkin, M. G., Fedorchenko, M. I.
    Опубліковано 2019
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  2. 2
    Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ
    за авторством Nakhodkin, M. G., Fedorchenko, M. I.
    Опубліковано 2019
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  3. 3
    Пропозицiя структури графен/Ge(111) на основi дослiдження методом скануючої тунельної мiкроскопiї у надвисокому вакуумi
    за авторством Goriachko, A., Melnik, P. V., Nakhodkin, M. G.
    Опубліковано 2019
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  4. 4
    Дослiдження нових особливостей поверхнi Ge(111) зi спiвiснуючими реконструкцiями с(2 × 8) та 2 × 2 методом сканувальної тунельної мiкроскопiї
    за авторством Goriachko, A., Melnik, P. V., Nakhodkin, M. G.
    Опубліковано 2019
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  5. 5
    Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001)
    за авторством Grynchuk, A. A., Koval, I. P., Nakhodkin, M. G.
    Опубліковано 2018
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  6. 6
    Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O
    за авторством Mel’nyk, P. V., Nakhodkin, M. G., Fedorchenko, M. I.
    Опубліковано 2018
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  7. 7
    Рiст вiсмуту на Ge(111): еволюцiя морфологiї вiд нанокристалiв до плiвок
    за авторством Goriachko, A., Shchyrba, A., Melnik, P. V., Nakhodkin, M. G.
    Опубліковано 2018
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  8. 8
    Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї
    за авторством Goriachko, A., Kulyk, S. P., Melnik, P. V., Nakhodkin, M. G.
    Опубліковано 2019
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  9. 9
    Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
    за авторством Greenchuk, A.A., Afanasieva, T.V., Koval, I.P., Nakhodkin, M.G.
    Опубліковано 2012
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  10. 10
    Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
    за авторством Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval’, I.P., Nakhodkin, M.G.
    Опубліковано 2022
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  11. 11
    Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
    за авторством Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval, I.P., Nakhodkin, M.G.
    Опубліковано 2022
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  12. 12
    Взаємодiя молекулярного кисню з поверхнею Si(001), вкритою моношарами хрому та титану
    за авторством Koval, I. P., Len, Yu. A., Nakhodkin, M. G., Svishevs’kyi, M. O., Yakovenko, M. Yu.
    Опубліковано 2019
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
Інструменти для пошуку: Отримати RSS-стрічку – Відправити пошук е-поштою