Suchergebnisse - Nakhodkin, M. G.
- Treffer 1 - 12 von 12
-
1
Фотоелeктронна емiсiя катода Si–Gd–O von Nakhodkin, M. G., Fedorchenko, M. I.
Veröffentlicht 2019
Volltext
Artikel -
2
Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ von Nakhodkin, M. G., Fedorchenko, M. I.
Veröffentlicht 2019
Volltext
Artikel -
3
-
4
-
5
Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001) von Grynchuk, A. A., Koval, I. P., Nakhodkin, M. G.
Veröffentlicht 2018
Volltext
Artikel -
6
Рiст вiсмуту на Ge(111): еволюцiя морфологiї вiд нанокристалiв до плiвок von Goriachko, A., Shchyrba, A., Melnik, P. V., Nakhodkin, M. G.
Veröffentlicht 2018
Volltext
Artikel -
7
Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O von Mel’nyk, P. V., Nakhodkin, M. G., Fedorchenko, M. I.
Veröffentlicht 2018
Volltext
Artikel -
8
Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї von Goriachko, A., Kulyk, S. P., Melnik, P. V., Nakhodkin, M. G.
Veröffentlicht 2019
Volltext
Artikel -
9
Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001) von Greenchuk, A.A., Afanasieva, T.V., Koval, I.P., Nakhodkin, M.G.
Veröffentlicht 2012
Volltext
Artikel -
10
Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001) von Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval’, I.P., Nakhodkin, M.G.
Veröffentlicht 2022
Volltext
Artikel -
11
Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001) von Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval, I.P., Nakhodkin, M.G.
Veröffentlicht 2022
Volltext
Artikel -
12
Взаємодiя молекулярного кисню з поверхнею Si(001), вкритою моношарами хрому та титану von Koval, I. P., Len, Yu. A., Nakhodkin, M. G., Svishevs’kyi, M. O., Yakovenko, M. Yu.
Veröffentlicht 2019
Volltext
Artikel
Suchwerkzeuge:
Ähnliche Schlagworte
-
oxidation
scanning tunneling microscopy
окислення
Gd
O
germanium
Gd2O3
adsorption
reconstruction
silicon
surface
work function
адсорбцiя
робота виходу
Si
Si(100)
Si(100)-2×1
Si(100)-2×1 surface
bismuth
chromium
dipole layer
electronic and emission properties
gadolinium
graphene
oxygen
stress
stress anisotropy
structural defects
thin film growth