Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс

• Дата: 2019
• Автор: Litovchenko, V. G.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
• Теми: метод комбiнованої поверхневої спектроскопiї фото-ерс; сонячний кремнiй; поверхневий просторовий заряд; surface photovoltage spectroscopy; solar silicon; near-surface charge region; -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019161
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Fundamental recombination parameters of a photosensitive solar silicon material have been studied using the surface photovoltage spectroscopy. The method proposed is analyzed on the basis of photosensitive silicon structures of four types: industrial photosensitive Si wafers with the chemically etch...