Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс
Fundamental recombination parameters of a photosensitive solar silicon material have been studied using the surface photovoltage spectroscopy. The method proposed is analyzed on the basis of photosensitive silicon structures of four types: industrial photosensitive Si wafers with the chemically etch...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019161 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019161 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20191612019-04-14T20:53:08Z Surface Photovoltage Spectroscopy Research of Solar Silicon Recombination Parameters Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс Litovchenko, V. G. метод комбiнованої поверхневої спектроскопiї фото-ерс сонячний кремнiй поверхневий просторовий заряд surface photovoltage spectroscopy solar silicon near-surface charge region - Fundamental recombination parameters of a photosensitive solar silicon material have been studied using the surface photovoltage spectroscopy. The method proposed is analyzed on the basis of photosensitive silicon structures of four types: industrial photosensitive Si wafers with the chemically etched (real) surface, structures with the implanted recombination-active Fe+ impurity, SiO2–Si structures with the surface-induced inversion channel, and structures with the diffused p–n junction. A comparison with the formulas obtained for the spectra of direct, VSC, and inverse, 1/VSC, photovoltages in terms of the absorption coefficient k and its reciprocal quantity 1/k is carried out. The surface and bulk recombination rates and the distributions of recombination-active impurities, structural technological impurities, and defects in the near-surface charge region of solar silicon are calculated. Методом комбiнованої поверхневої спектроскопiї фото-ерс Vsc(л) дослiджено фундаментальнi рекомбiнацiйнi параметри фоточутливого сонячного кремнiєвого матерiалу. Запропонований метод проаналiзовано на прикладi 4-х типових кремнiєвих структур: 1) пластини промислового фоточутливого кремнiю з хiмiчно травленою (реальною) поверхнею; 2) структури з iмплантованою рекомбiнацiйно-активною домiшкою (Fe+); 3) структури SiO2–Si з фронтальним iнверсним каналом; 4) структури з дифузiйним p–n-переходом. Проведено порiвняння з формулами для рiзних актуальних випадкiв, а саме для спектрiв прямих та зворотних фото-ерс VSC, 1/VSC в координатах прямого та оберненого коефiцiєнта поглинання k та 1/k. Розраховано наступнi рекомбiнацiйнi характеристики сонячного кремнiю: швидкостi поверхневої та об’ємної рекомбiнацiй S та Vv; координацiйна залежнiсть приповерхневих рекомбiнацiйно-активних домiшок та структурних технологiчних домiшок та дефектiв в областi приповерхневого просторового заряду. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-10 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019161 10.15407/ujpe60.10.1036 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 10 (2015); 1036 Український фізичний журнал; Том 60 № 10 (2015); 1036 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.10 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019161/1109 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019161/1110 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2019-04-14T20:53:08Z |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
метод комбiнованої поверхневої спектроскопiї фото-ерс сонячний кремнiй поверхневий просторовий заряд |
| spellingShingle |
метод комбiнованої поверхневої спектроскопiї фото-ерс сонячний кремнiй поверхневий просторовий заряд Litovchenko, V. G. Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс |
| topic_facet |
метод комбiнованої поверхневої спектроскопiї фото-ерс сонячний кремнiй поверхневий просторовий заряд surface photovoltage spectroscopy solar silicon near-surface charge region - |
| format |
Article |
| author |
Litovchenko, V. G. |
| author_facet |
Litovchenko, V. G. |
| author_sort |
Litovchenko, V. G. |
| title |
Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс |
| title_short |
Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс |
| title_full |
Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс |
| title_fullStr |
Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс |
| title_full_unstemmed |
Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс |
| title_sort |
дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс |
| title_alt |
Surface Photovoltage Spectroscopy Research of Solar Silicon Recombination Parameters |
| description |
Fundamental recombination parameters of a photosensitive solar silicon material have been studied using the surface photovoltage spectroscopy. The method proposed is analyzed on the basis of photosensitive silicon structures of four types: industrial photosensitive Si wafers with the chemically etched (real) surface, structures with the implanted recombination-active Fe+ impurity, SiO2–Si structures with the surface-induced inversion channel, and structures with the diffused p–n junction. A comparison with the formulas obtained for the spectra of direct, VSC, and inverse, 1/VSC, photovoltages in terms of the absorption coefficient k and its reciprocal quantity 1/k is carried out. The surface and bulk recombination rates and the distributions of recombination-active impurities, structural technological impurities, and defects in the near-surface charge region of solar silicon are calculated. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019161 |
| work_keys_str_mv |
AT litovchenkovg surfacephotovoltagespectroscopyresearchofsolarsiliconrecombinationparameters AT litovchenkovg doslidžennârekombinacijnihparametrivsonâčnogokremniûmetodomspektroskopiípoverhnevoífotoers |
| first_indexed |
2025-10-02T01:16:00Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:16:00Z |
| _version_ |
1851765181178183680 |