Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс
Fundamental recombination parameters of a photosensitive solar silicon material have been studied using the surface photovoltage spectroscopy. The method proposed is analyzed on the basis of photosensitive silicon structures of four types: industrial photosensitive Si wafers with the chemically etch...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська Українська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019161 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131284473118720 |
|---|---|
| author | Litovchenko, V. G. |
| author_facet | Litovchenko, V. G. |
| author_sort | Litovchenko, V. G. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2019-04-14T20:53:08Z |
| description | Fundamental recombination parameters of a photosensitive solar silicon material have been studied using the surface photovoltage spectroscopy. The method proposed is analyzed on the basis of photosensitive silicon structures of four types: industrial photosensitive Si wafers with the chemically etched (real) surface, structures with the implanted recombination-active Fe+ impurity, SiO2–Si structures with the surface-induced inversion channel, and structures with the diffused p–n junction. A comparison with the formulas obtained for the spectra of direct, VSC, and inverse, 1/VSC, photovoltages in terms of the absorption coefficient k and its reciprocal quantity 1/k is carried out. The surface and bulk recombination rates and the distributions of recombination-active impurities, structural technological impurities, and defects in the near-surface charge region of solar silicon are calculated. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe60.10.1036 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:16:00Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2019161 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-02T01:16:00Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20191612019-04-14T20:53:08Z Surface Photovoltage Spectroscopy Research of Solar Silicon Recombination Parameters Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс Litovchenko, V. G. метод комбiнованої поверхневої спектроскопiї фото-ерс сонячний кремнiй поверхневий просторовий заряд surface photovoltage spectroscopy solar silicon near-surface charge region - Fundamental recombination parameters of a photosensitive solar silicon material have been studied using the surface photovoltage spectroscopy. The method proposed is analyzed on the basis of photosensitive silicon structures of four types: industrial photosensitive Si wafers with the chemically etched (real) surface, structures with the implanted recombination-active Fe+ impurity, SiO2–Si structures with the surface-induced inversion channel, and structures with the diffused p–n junction. A comparison with the formulas obtained for the spectra of direct, VSC, and inverse, 1/VSC, photovoltages in terms of the absorption coefficient k and its reciprocal quantity 1/k is carried out. The surface and bulk recombination rates and the distributions of recombination-active impurities, structural technological impurities, and defects in the near-surface charge region of solar silicon are calculated. Методом комбiнованої поверхневої спектроскопiї фото-ерс Vsc(л) дослiджено фундаментальнi рекомбiнацiйнi параметри фоточутливого сонячного кремнiєвого матерiалу. Запропонований метод проаналiзовано на прикладi 4-х типових кремнiєвих структур: 1) пластини промислового фоточутливого кремнiю з хiмiчно травленою (реальною) поверхнею; 2) структури з iмплантованою рекомбiнацiйно-активною домiшкою (Fe+); 3) структури SiO2–Si з фронтальним iнверсним каналом; 4) структури з дифузiйним p–n-переходом. Проведено порiвняння з формулами для рiзних актуальних випадкiв, а саме для спектрiв прямих та зворотних фото-ерс VSC, 1/VSC в координатах прямого та оберненого коефiцiєнта поглинання k та 1/k. Розраховано наступнi рекомбiнацiйнi характеристики сонячного кремнiю: швидкостi поверхневої та об’ємної рекомбiнацiй S та Vv; координацiйна залежнiсть приповерхневих рекомбiнацiйно-активних домiшок та структурних технологiчних домiшок та дефектiв в областi приповерхневого просторового заряду. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-10 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019161 10.15407/ujpe60.10.1036 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 10 (2015); 1036 Український фізичний журнал; Том 60 № 10 (2015); 1036 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.10 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019161/1109 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019161/1110 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| spellingShingle | метод комбiнованої поверхневої спектроскопiї фото-ерс сонячний кремнiй поверхневий просторовий заряд Litovchenko, V. G. Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс |
| title | Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс |
| title_alt | Surface Photovoltage Spectroscopy Research of Solar Silicon Recombination Parameters |
| title_full | Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс |
| title_fullStr | Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс |
| title_full_unstemmed | Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс |
| title_short | Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс |
| title_sort | дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс |
| topic | метод комбiнованої поверхневої спектроскопiї фото-ерс сонячний кремнiй поверхневий просторовий заряд |
| topic_facet | метод комбiнованої поверхневої спектроскопiї фото-ерс сонячний кремнiй поверхневий просторовий заряд surface photovoltage spectroscopy solar silicon near-surface charge region - |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019161 |
| work_keys_str_mv | AT litovchenkovg surfacephotovoltagespectroscopyresearchofsolarsiliconrecombinationparameters AT litovchenkovg doslidžennârekombinacijnihparametrivsonâčnogokremniûmetodomspektroskopiípoverhnevoífotoers |