Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс
Fundamental recombination parameters of a photosensitive solar silicon material have been studied using the surface photovoltage spectroscopy. The method proposed is analyzed on the basis of photosensitive silicon structures of four types: industrial photosensitive Si wafers with the chemically etch...
Gespeichert in:
| Datum: | 2019 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Litovchenko, V. G. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019161 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsÄhnliche Einträge
-
В’язкiсть, електропровiднiсть, термо-ерс iонних та iонно-електронних рiдинних систем евтектичного складу
von: Sklyarchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Фiзичнi властивостi кремнiєвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основi “глибокого” p–n-переходу
von: Kozinetz, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Вплив системи поверхневих центрiв на ефективну швидкiсть поверхневої рекомбiнацiї та на параметри кремнiєвих сонячних елементiв
von: Kostylyov, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Теоретичне та експериментальне вивчення спектроскопiчних характеристик ароматичних амiнокислот
von: Myhovich, M. I., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Закон дисперсiї та ширина поверхневої акустичної моди в залежностi вiд концентрацiї адсорбованих атомiв
von: Peleshchak, R. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)