Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла

• Дата: 2019
• Автори: Smirnov, A. B., Korchovyi, A. A., Krolevec, N. M., Morozhenko, V. A., Savkina, R. K., Udovytska, R. S., Sizov, F. F.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
• Теми: наноструктурований шар; напiвпровiдник CdHgTe; метод iонної iмплантацiї; nanostructured layer; CdHgTe semiconductor; method of ion implantation; -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019164
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The “top–down” process of deposition of nanostructured layers on the surface of semiconductor materials by the ion implantation is studied. The irradiation of p-CdxHg1−xTe (x = 0.223)/CdZnTe heterostructures with 100-keV silver ions induces the formation of a nanostructure array on the specimen surf...