Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла

The “top–down” process of deposition of nanostructured layers on the surface of semiconductor materials by the ion implantation is studied. The irradiation of p-CdxHg1−xTe (x = 0.223)/CdZnTe heterostructures with 100-keV silver ions induces the formation of a nanostructure array on the specimen surf...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	Smirnov, A. B., Korchovyi, A. A., Krolevec, N. M., Morozhenko, V. A., Savkina, R. K., Udovytska, R. S., Sizov, F. F.
Формат:	Стаття
Мова:	English Ukrainian
Опубліковано:	Publishing house "Academperiodika" 2019
Теми:	наноструктурований шар напiвпровiдник CdHgTe метод iонної iмплантацiї nanostructured layer CdHgTe semiconductor method of ion implantation -
Онлайн доступ:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019164
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics

id	ujp2-article-2019164
record_format	ojs
spelling	ujp2-article-20191642019-04-14T20:57:29Z Study of the Morphology of p-CdHgTe Layers Structured by Grazing Silver-Ion Beam Irradiation Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла Smirnov, A. B. Korchovyi, A. A. Krolevec, N. M. Morozhenko, V. A. Savkina, R. K. Udovytska, R. S. Sizov, F. F. наноструктурований шар напiвпровiдник CdHgTe метод iонної iмплантацiї nanostructured layer CdHgTe semiconductor method of ion implantation - The “top–down” process of deposition of nanostructured layers on the surface of semiconductor materials by the ion implantation is studied. The irradiation of p-CdxHg1−xTe (x = 0.223)/CdZnTe heterostructures with 100-keV silver ions induces the formation of a nanostructure array on the specimen surface. The reduction of the ion beam incidence angle to 40∘ stimulates an ordering of nanostructures. The stabilization of the implantation-activated state of the system gives rise to the formation of the multifunctional metal oxide–semiconductor system Ag2O–p-CdxHg1−xTe (x = 0.2). The latter is a size-dependent response to the grazing beam irradiation and allows the combination of the functional properties of Ag2O oxide (Eg = 1.41 eV) and CdHgTe semiconductor (Eg = 0.123 eV) to be used as a basis for the creation of optical transducers and microwave grid arrays. У роботi вивчається “top–down” процес отримання наноструктурованого шару на поверхнi напiвпровiдникового матерiалу методом iонної iмплантацiї. У результатi опромiнення гетероструктур p-CdxHg1−xTe(x = 0,223)/СdZnTe iонами срiбла з енергiєю 100 еВ на поверхнi зразкiв вiдбувається утворення масиву наноструктур. Зменшення кута падiння iонного пучка до 40∘ приводить до того, що наноструктуювання набуває впорядкованого характеру. При цьому наслiдком стабiлiзацiї активованого iмплантацiєю стану системи є утворення полiфункцiональної системи оксид металу–напiвпровiдник Ag2O–p-CdxHg1−xTe (x = 0,2), що є розмiрно-залежним вiдгуком на опромiнення ковзним опромiненням та, що дозволяє сумiстити функцiональнi властивостi оксиду Ag2O (Eg = 1,41 еВ) та напiвпровiдника CdHgTe (Eg = 0,123 еВ), як основи для створення оптичних перетворювачiв та масивiв з НВЧ ґраток. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-10 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019164 10.15407/ujpe60.10.1055 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 10 (2015); 1055 Український фізичний журнал; Том 60 № 10 (2015); 1055 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.10 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019164/1115 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019164/1116 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution	Ukrainian Journal of Physics
collection	OJS
language	English Ukrainian
topic	наноструктурований шар напiвпровiдник CdHgTe метод iонної iмплантацiї nanostructured layer CdHgTe semiconductor method of ion implantation -
spellingShingle	наноструктурований шар напiвпровiдник CdHgTe метод iонної iмплантацiї nanostructured layer CdHgTe semiconductor method of ion implantation - Smirnov, A. B. Korchovyi, A. A. Krolevec, N. M. Morozhenko, V. A. Savkina, R. K. Udovytska, R. S. Sizov, F. F. Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
topic_facet	наноструктурований шар напiвпровiдник CdHgTe метод iонної iмплантацiї nanostructured layer CdHgTe semiconductor method of ion implantation -
format	Article
author	Smirnov, A. B. Korchovyi, A. A. Krolevec, N. M. Morozhenko, V. A. Savkina, R. K. Udovytska, R. S. Sizov, F. F.
author_facet	Smirnov, A. B. Korchovyi, A. A. Krolevec, N. M. Morozhenko, V. A. Savkina, R. K. Udovytska, R. S. Sizov, F. F.
author_sort	Smirnov, A. B.
title	Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
title_short	Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
title_full	Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
title_fullStr	Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
title_full_unstemmed	Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
title_sort	дослiдження морфологiї шарiв p-cdhgte структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
title_alt	Study of the Morphology of p-CdHgTe Layers Structured by Grazing Silver-Ion Beam Irradiation
description	The “top–down” process of deposition of nanostructured layers on the surface of semiconductor materials by the ion implantation is studied. The irradiation of p-CdxHg1−xTe (x = 0.223)/CdZnTe heterostructures with 100-keV silver ions induces the formation of a nanostructure array on the specimen surface. The reduction of the ion beam incidence angle to 40∘ stimulates an ordering of nanostructures. The stabilization of the implantation-activated state of the system gives rise to the formation of the multifunctional metal oxide–semiconductor system Ag2O–p-CdxHg1−xTe (x = 0.2). The latter is a size-dependent response to the grazing beam irradiation and allows the combination of the functional properties of Ag2O oxide (Eg = 1.41 eV) and CdHgTe semiconductor (Eg = 0.123 eV) to be used as a basis for the creation of optical transducers and microwave grid arrays.
publisher	Publishing house "Academperiodika"
publishDate	2019
url	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019164
work_keys_str_mv	AT smirnovab studyofthemorphologyofpcdhgtelayersstructuredbygrazingsilverionbeamirradiation AT korchovyiaa studyofthemorphologyofpcdhgtelayersstructuredbygrazingsilverionbeamirradiation AT krolevecnm studyofthemorphologyofpcdhgtelayersstructuredbygrazingsilverionbeamirradiation AT morozhenkova studyofthemorphologyofpcdhgtelayersstructuredbygrazingsilverionbeamirradiation AT savkinark studyofthemorphologyofpcdhgtelayersstructuredbygrazingsilverionbeamirradiation AT udovytskars studyofthemorphologyofpcdhgtelayersstructuredbygrazingsilverionbeamirradiation AT sizovff studyofthemorphologyofpcdhgtelayersstructuredbygrazingsilverionbeamirradiation AT smirnovab doslidžennâmorfologiíšarivpcdhgtestrukturovanihkovznimoprominennâmionamisribla AT korchovyiaa doslidžennâmorfologiíšarivpcdhgtestrukturovanihkovznimoprominennâmionamisribla AT krolevecnm doslidžennâmorfologiíšarivpcdhgtestrukturovanihkovznimoprominennâmionamisribla AT morozhenkova doslidžennâmorfologiíšarivpcdhgtestrukturovanihkovznimoprominennâmionamisribla AT savkinark doslidžennâmorfologiíšarivpcdhgtestrukturovanihkovznimoprominennâmionamisribla AT udovytskars doslidžennâmorfologiíšarivpcdhgtestrukturovanihkovznimoprominennâmionamisribla AT sizovff doslidžennâmorfologiíšarivpcdhgtestrukturovanihkovznimoprominennâmionamisribla
first_indexed	2023-03-24T08:57:23Z
last_indexed	2023-03-24T08:57:23Z
_version_	1795757667094888448

Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла

Репозитарії

Схожі ресурси