Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду
A possibility to enhance the efficiency of silicon solar cells by creating an amorphized barrier structure in the space charge region has been demonstrated. The positive effect can be achieved owing to the absorption of infrared photons with energies lower than the silicon band gap and a reduction o...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019211 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019211 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20192112019-04-14T18:27:41Z Theoretical Analysis of the Efficiency of Silicon Solar Cells with Amorphized Layers in the Space Charge Region Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду Kozynetz, A. V. Skryshevsky, V. A. сонячний елемент кремнiєвий n –p-перехiд ефективнiсть аморфiзований шар iнфрачервоне поглинання solar cell silicon n –p junction efficiency amorphized layer infrared absorption - A possibility to enhance the efficiency of silicon solar cells by creating an amorphized barrier structure in the space charge region has been demonstrated. The positive effect can be achieved owing to the absorption of infrared photons with energies lower than the silicon band gap and a reduction of the dark current. Optimal parameters of this structure (the barrier height and position in the space charge region) are determined in the framework of the diode theory approximation. В роботi показано можливiсть пiдвищення ефективностi монокристалiчних кремнiєвих сонячних елементiв внаслiдок створення аморфiзованої бар’єрної структури в областi просторового заряду. Позитивний ефект можна досягти за рахунок додаткового поглинання iнфрачервоних квантiв з енергiєю меншою, нiж ширина забороненої зони та зменшення темнового струму. В наближеннях дiодної теорiї визначено оптимальнi параметри такої структури (висота бар’єра, положення в областi просторового заряду). Publishing house "Academperiodika" 2019-01-17 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019211 10.15407/ujpe60.07.0620 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 7 (2015); 620 Український фізичний журнал; Том 60 № 7 (2015); 620 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.07 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019211/1184 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019211/1185 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
сонячний елемент кремнiєвий n –p-перехiд ефективнiсть аморфiзований шар iнфрачервоне поглинання solar cell silicon n –p junction efficiency amorphized layer infrared absorption - |
| spellingShingle |
сонячний елемент кремнiєвий n –p-перехiд ефективнiсть аморфiзований шар iнфрачервоне поглинання solar cell silicon n –p junction efficiency amorphized layer infrared absorption - Kozynetz, A. V. Skryshevsky, V. A. Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду |
| topic_facet |
сонячний елемент кремнiєвий n –p-перехiд ефективнiсть аморфiзований шар iнфрачервоне поглинання solar cell silicon n –p junction efficiency amorphized layer infrared absorption - |
| format |
Article |
| author |
Kozynetz, A. V. Skryshevsky, V. A. |
| author_facet |
Kozynetz, A. V. Skryshevsky, V. A. |
| author_sort |
Kozynetz, A. V. |
| title |
Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду |
| title_short |
Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду |
| title_full |
Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду |
| title_fullStr |
Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду |
| title_full_unstemmed |
Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду |
| title_sort |
теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду |
| title_alt |
Theoretical Analysis of the Efficiency of Silicon Solar Cells with Amorphized Layers in the Space Charge Region |
| description |
A possibility to enhance the efficiency of silicon solar cells by creating an amorphized barrier structure in the space charge region has been demonstrated. The positive effect can be achieved owing to the absorption of infrared photons with energies lower than the silicon band gap and a reduction of the dark current. Optimal parameters of this structure (the barrier height and position in the space charge region) are determined in the framework of the diode theory approximation. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019211 |
| work_keys_str_mv |
AT kozynetzav theoreticalanalysisoftheefficiencyofsiliconsolarcellswithamorphizedlayersinthespacechargeregion AT skryshevskyva theoreticalanalysisoftheefficiencyofsiliconsolarcellswithamorphizedlayersinthespacechargeregion AT kozynetzav teoretičnijanalizefektivnostikremniêvihsonâčnihelementivzamorfizovanimišaramivoblastiprostorovogozarâdu AT skryshevskyva teoretičnijanalizefektivnostikremniêvihsonâčnihelementivzamorfizovanimišaramivoblastiprostorovogozarâdu |
| first_indexed |
2023-03-24T08:57:33Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:57:33Z |
| _version_ |
1795757671800897536 |